Buchumschlag

Polishing of opto-electronic equipment elements from single-crystal silicon carbide

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2015
Hauptverfasser:	Ju. D. Filatov, A. G. Vetrov, V. I. Sidorko, Ju. Filatov, S. V. Kovalev, V. D. Kurilovich, M. A. Danilchenko, T. A. Prikhna, A. I. Borimskij, A. M. Kutsaj, V. G. Poltoratskij
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2015
Schriftenreihe:	Superhard Materials
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000694060
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
von: Filatov, O.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2016)

A mechanism of diamond-abrasive finishing of monocrystalline silicon carbide
von: Ju. D. Filatov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Efficiency of polishing of anisotropic single-crystal materials for optoelectronics
von: Ju. Filatov, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Carbides of A3B5 compounds - new class materials for opto- and microelectronics
von: V. I. Osinsky, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Polished surface roughness of optoelectronic components made of monocrystalline materials
von: Ju. Filatov, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Formation of flat surfaces of optoelectronic components in diamond polishing
von: Ju. D. Filatov, et al.
Veröffentlicht: (2017)

In-process monitoring of shape accuracy of flat surfaces of optical and microelectronic components in polishing
von: Ju. D. Filatov, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Precision shaping flat surfaces details of optics and microelectronics when polishing
von: Ju. D. Filatov, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
von: S. I. Vlaskina, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Silicon carbide LED
von: Vlaskina, S.I.
Veröffentlicht: (2002)

A silicon carbide thermistor
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2006)

On melting of silicon carbide under pressure
von: P. S. Sokolov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Research of the influence of silicon impregnation on the structure and properties of hot-pressed silicon carbide
von: V. V. Ivzhenko, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
von: S. I. Vlaskina, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Education of sludge particles and wear particles polishing powder in the polishing process nitride aluminum
von: Ju. D. Filatov, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Production of ultradispersed crystalline silicon carbide by plasmodynamic synthesis
von: A. A. Sivkov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
von: Vlaskina, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Analysis of the growth kinetics of primary silicon Crystals in hypereutectic silumins by the modification of silicon Carbide powder
von: Ja. Ju. Dmitrishina
Veröffentlicht: (2014)

Opto-electronic transducers for powerful generators mechanical fault diagnosing systems: software algorithms
von: Ye. O. Zaitsev
Veröffentlicht: (2020)

Absorption edge of nanocrystalline cubic silicon carbide films
von: Lopin, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Structure and electrophysical properties of the diamond–graphen–silicon carbide composite
von: A. A. Shulzhenko, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Optimal Design of Single-Layered Reinforced Cylindrical Shells
von: H. V. Filatov
Veröffentlicht: (2021)

Production and properties of hot-pressed materials based on silicon carbide with additions of boron and titanium carbides
von: V. V. Ivzhenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Research of the influence of siliconizing on the structure and properties of hot-pressed polycrystalline silicon carbide
von: V. V. Ivzhenko, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
von: Ja. Ja. Kudrik, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
von: S. I. Vlaskina, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
von: Vlaskina, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Effect of sintering temperature and applied pressure on the properties of boron carbide- silicon carbide composites
von: Ya. Z. Aygьzer, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Estimation of field-emission properties of nanostructures based on silicon carbide and graphene
von: O. B. Okhrimenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Detonation coatings of ferromolybdenum-silicon carbide composite powder produced by the method of mechanical-chemical synthesis
von: Ju. S. Borisov, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Features of the structure formation of secondary silicon carbide synthesized under conditions of the interaction of nano-sized nonstoichiometric silicon carbide with iron oxide
von: Ya. H. Tymoshenko, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Preparation and characterization of diamond–silicon carbide–silicon composites gaseous silicon vacuum infiltration process
von: R. J. Liu, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Preparation and characterization of diamond–silicon carbide–silicon composites gaseous silicon vacuum infiltration process
von: R. J. Liu, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
von: Sh. D. Kurmashev, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
von: V. N. Rodionov, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
von: S. W. Lee, et al.
Veröffentlicht: (2010)

The growth of weakly coupled graphene sheets from silicon carbide powder
von: V. S. Kiselov, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
von: Lee, S.W., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Structure formation in silicon carbide–alumina composites during electroconsolidation
von: E. S. Hevorkian, et al.
Veröffentlicht: (2022)