Зображення обкладинки

Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2015
Автори:	P. I. Baranskyi, H. P. Haidar
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2015
Назва видання:	Optoelectronics and Semiconductor Technique
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061482
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Some thermoelectric features of conventional and transmutation doped silicon crystals
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Photonuclear transmutation doping of the n-type detector silicon
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2002)

Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge&lt;As&gt; under the effect of thermal annealings
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2018)

Beam technologies for incineration and transmutation of the nuclear waste
за авторством: Bomko, V.A., та інші
Опубліковано: (2001)

Research of transmutation of products of nuclear cycle at the electron accelerator
за авторством: Dikiy, N.P., та інші
Опубліковано: (2004)

Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)

Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)

Concentration and temperature dependences of thermoelectric characteristics of the elastically deformed silicon
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2018)

Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting
за авторством: Yu. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011)

Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Physical ground for radioactive waste transmutation facility using thermonuclear neutrons
за авторством: Rudychev, Y.V., та інші
Опубліковано: (2009)

The difficult doped zirconium alloys melting to nuclear power in the cathode-ray unit
за авторством: A. V. Rjabinin
Опубліковано: (2014)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Investigation of geometry and fuel composition in two-zone subcritical research reactor for nuclear waste transmutation
за авторством: Sheliahovskyi, D.O., та інші
Опубліковано: (2018)

The development of neutron-physical model for two-zone research suhcritical reactor for nuclear waste transmutation
за авторством: V. I. Gulik, та інші
Опубліковано: (2019)

The simple approach to determination of active diffused phosphorus density in silicon
за авторством: Sasani, M.
Опубліковано: (2004)

CATALYSIS BY PHOSPHORUS AND SILICON COMPOUNDS IN THE SYNTHESIS OF OXYNAPHTOIC ACID ANILIDES
за авторством: Shteinberg, Leon
Опубліковано: (2023)

Electrophysical simulator of nuclear energy striking factors
за авторством: T. V. Kovalinska, та інші
Опубліковано: (2019)

Nuclear Te chnologies and Electrophysical Equipment for Medicine
за авторством: Yu. Storizhko, та інші
Опубліковано: (2013)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge &lt;As&gt; single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2015)

Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Investigation of phosphorus behaviour in BOF using the software package &quot;DesigningMelt&quot;
за авторством: R. V. Sinjakov, та інші
Опубліковано: (2016)

Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon obtained by vapor deposition in vacuum
за авторством: Neimash, V.B., та інші
Опубліковано: (2013)

On the transmutation of the Lions operator to the simplest form
за авторством: Yu. S. Linchuk
Опубліковано: (2017)

Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2023)

Structure and electrophysical properties of the diamond–graphen–silicon carbide composite
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Peculiarities of changes in the structure and electrophysical characteristics of n-Si under the effect of various thermal treatment regimes
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2020)

Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon, obtained by vapor deposition in vacuum
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2013)

Refining of silicon using the method of electron beam melting
за авторством: V. A. Berezos, та інші
Опубліковано: (2009)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Biological activity of phosphorus and non-phosphorus alkyl glycerolipids
за авторством: S. G. Romanova, та інші
Опубліковано: (2009)