Зображення обкладинки

Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2021
Автори:	R. M. Vernydub, O. I. Kyrylenko, O. V. Konoreva, P. H. Lytovchenko, D. P. Stratilat, V. P. Tartachnyk, M. M. Filonenko
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2021
Назва видання:	Nuclear physics and atomic energy
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001276961
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019)

Spectral characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)

Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020)

Degradation and recovery features of irradiated GAP LEDs
за авторством: O. P. Budnyk, та інші
Опубліковано: (2022)

Influence of variation of electrical parameters values of RGB LEDs on the radiation uniformity of LED displays at minimal luminosity grade
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of radiation defects on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl irradiated by neutrons
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)

Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)

Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2023)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Silicon carbide LED
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)

Conversion semiconductor LED
за авторством: O. A. Kapush
Опубліковано: (2020)

Electrophysical properties of carbon nanotubes/NiCo composites
за авторством: O. M. Lisova, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2020)

The influence of led lighting on in vitro growth and development of some medical plants
за авторством: L. G. Ljoshina, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of Thermal Processes in Si/AIIIBV RGB LED-Matrixes on the Reverse Micropro-cessor Control of Lighting
за авторством: Deminskyi, P. V., та інші
Опубліковано: (2012)

The influence of carbon-containing, magnetic and nano-dispersed additions on structure and electrophysical properties of polypropylene-based composite monofibers
за авторством: L. S. Dziubenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of gas adsorption on the impedance of porous GaAs
за авторством: Milovanov, Y.S., та інші
Опубліковано: (2017)

Coordination of welding pulse parameters with electrode pressure program and electrophysical processes in welding contact
за авторством: O. F. Bondarenko
Опубліковано: (2019)

Electrophysical properties of composites based on the epoxy resin and expanded graphite
за авторством: O. G. Sirenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)

Behavior of led light sources in pulse power
за авторством: V. A. Andriichuk, та інші
Опубліковано: (2021)

Electrophysical properties of composites based on epoxy resin and carbon fillers
за авторством: O. G. Sirenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of the influence of correlated color temperature of led illuminators as a factor of safety lighting of highways for difficult weather conditions
за авторством: V. S. Kretulis, та інші
Опубліковано: (2021)

New LED lamp design with heat pipes
за авторством: D. V. Pekur, та інші
Опубліковано: (2019)

GEOMETRIC AND ELECTROPHYSICAL PARAMETERS OF ARMATURE WINDING OF ELECTROMECHANICAL CONVERTER OF INERTIAL ENERGY STORAGE FOR SUBURBAN TRAINS
за авторством: Omelianenko, H. V., та інші
Опубліковано: (2020)

High-pole LED lighting system
за авторством: Trofimov, Y.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Calculation of thermoelectric system for cooling leds
за авторством: V. S. Zakordonets, та інші
Опубліковано: (2018)

Calculation of thermoelectric system for cooling leds
за авторством: V. S. Zakordonets, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of the density increasing of close located water micro-inclusions on electrophysical processes in nonlinear solid dielectric
за авторством: M. Shcherba
Опубліковано: (2018)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

The mechanisms of the appearance of visible parasitic luminescence in the ultraviolet LED&#039;s 365 nm
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2018)

Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
за авторством: G. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)

Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)

Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)