Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
Збережено в:
| Дата: | 2021 |
|---|---|
| Автори: | R. M. Vernydub, O. I. Kyrylenko, O. V. Konoreva, P. H. Lytovchenko, D. P. Stratilat, V. P. Tartachnyk, M. M. Filonenko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2021
|
| Назва видання: | Nuclear physics and atomic energy |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001276961 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Spectral characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)
Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)
Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)
Degradation and recovery features of irradiated GAP LEDs
за авторством: O. P. Budnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: O. P. Budnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
Negative differential resistance and spectral characteristics of original and electron-irradiated (with E = 2 MeV) GaAs1-xPx LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2024)
Electrophysical сharacteristics of LEDs based on GaN epitaxial films
за авторством: Oleksenko, P.Ph., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Oleksenko, P.Ph., та інші
Опубліковано: (1998)
Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy
за авторством: Tsybulenko, V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Tsybulenko, V., та інші
Опубліковано: (2008)
Acoustic-stimulated relaxation of GaAs1–khPkh LEDs electroluminescence intensity
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2016)
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: Hontaruk, O., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Hontaruk, O., та інші
Опубліковано: (2010)
Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)
Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)
Influence of variation of electrical parameters values of RGB LEDs on the radiation uniformity of LED displays at minimal luminosity grade
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2010)
Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)
Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)
Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2015)
Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)
Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
Non-destructive control and diagnostics of led GaN structures by using microplasmas (Review)
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Phase analysis and electrophysical properties of InGaTe2
за авторством: E. M. Godzhayev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. M. Godzhayev, та інші
Опубліковано: (2014)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. M. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of radiation defects on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl irradiated by neutrons
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
Protective effect of monochromatic red light of LED against the oxidative effects of microwave radiation
за авторством: O. S. Tsybulin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. S. Tsybulin, та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Degradation processes in LED modules
за авторством: V. M. Sorokin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. M. Sorokin, та інші
Опубліковано: (2016)
Degradation processes in LED modules
за авторством: Sorokin, V.M., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sorokin, V.M., та інші
Опубліковано: (2016)
Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)
Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2014)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2014)
Change of electrophysical parameters of coal by effect of magnetic pulses
за авторством: T. A. Vasilenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: T. A. Vasilenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)
Measurement of the photometric characteristics of LEDs
за авторством: Nazarenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Nazarenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2015)
Conversion semiconductor LED
за авторством: O. A. Kapush
Опубліковано: (2020)
за авторством: O. A. Kapush
Опубліковано: (2020)
Схожі ресурси
-
Spectral characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021) -
Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019) -
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023) -
Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020) -
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)