Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity

Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	D. A. Zakharchuk, Y. V. Koval, L. V. Yashchynskiy, S. A. Fedosov
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Nuclear physics and atomic energy
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000339683
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)

Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2015)

Thermoelasticity in Ge due to nonuniform distribution of doping impurity studied by light polarization modulation technique
за авторством: Serdega, B.K., та інші
Опубліковано: (1999)

Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)

Variation of crystal lattice parameters of KDP single crystals containing impurities
за авторством: Salo, V.I., та інші
Опубліковано: (2008)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)

Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)

Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting
за авторством: Yu. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011)

Concentration dependences of the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ || and the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermopower M = α || ph/α⊥ ph IN n-Ge and n-Si
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of Cu-, Sn-, and In-doping on optical properties of AgGaGe3 Se8 single crystals
за авторством: A. S. Krymus, та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of Cu-, Sn-, and In-doping on optical properties of AgGaGe3 Se8 single crystals
за авторством: A. S. Krymus, та інші
Опубліковано: (2016)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Anisotropy of mechanical properties of oxide single crystals for inorganic scintillators
за авторством: Babiychuk, I.P., та інші
Опубліковано: (2004)

Concentration dependences of dielectric parameters of impurity-doped K2SO4 crystals
за авторством: V. Y. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)

Concentration dependences of dielectric parameters of impurity-doped K2SO4 crystals
за авторством: Yo. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)

Physical factors that cause the anisotropy of thermoelectromotive and the anisotropy of mobility in multivalley semiconductors
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2013)

Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)

Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni
за авторством: Garsia-Garsia, E., та інші
Опубліковано: (1998)

Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge<As> under the effect of thermal annealings
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2018)

Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Concentration maxima of the mobility of 2D electrons scattered by correlated impurity ions in thin doped layers
за авторством: V. M. Mikheev
Опубліковано: (2019)

Anisotropy of magnetoresistance in untwinned YBa₂Cu₃O₇₋δ single crystals
за авторством: Vovk, R.V., та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Magnetic properties lithium-doped manganite single crystals
за авторством: Barilo, S.N., та інші
Опубліковано: (2001)

Influence of the illumination on the mobility of 2D electrons scattered on the correlated distribution of impurity ions
за авторством: V. M. Mikheev
Опубліковано: (2017)

Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam
за авторством: Nadtochy, V., та інші
Опубліковано: (2004)

Study on gaseous impurities in alpha-alumina, used single crystals growing
за авторством: Blank, T.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)

Changes of anisotropy of dilatative and optical properties of DGN crystal at ferroelectric phase transition
за авторством: Andriyevsky, B.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Defect-and-impurity state of type Ib diamond single crystals of the cubic habit
за авторством: E. M. Suprun, та інші
Опубліковано: (2016)

X-ray characterization of ZnSe single crystals doped with Mg
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)

X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2012)

Purification of raw material for cesium iodide single crystals and impurity concentration by low-temperature directional crystallization
за авторством: Eksperiandova, L.P.
Опубліковано: (2010)

The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Anisotropy of electron phonon drag thermoEMF in n-Ge
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)