Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity

Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2014
Hauptverfasser:	D. A. Zakharchuk, Y. V. Koval, L. V. Yashchynskiy, S. A. Fedosov
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2014
Schriftenreihe:	Nuclear physics and atomic energy
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000339683
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