Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Nuclear physics and atomic energy |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000339694 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|