Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автор: | A. P. Dolgolenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Nuclear physics and atomic energy |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000339694 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Configuration transitions of divacancies in silicon and germanium
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013) -
Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003) -
Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x semiconductors formed on porous silicon
за авторством: Hasanov, H.A., та інші
Опубліковано: (2008) -
Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000) -
On the possibility to estimate the mobility edge position for charge carriers using single-particle averages
за авторством: Ju. V. Skripnik, та інші
Опубліковано: (2018)