Зображення обкладинки

Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автор:	A. P. Dolgolenko
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Nuclear physics and atomic energy
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000339694
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Configuration transitions of divacancies in silicon and germanium
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003)

Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x semiconductors formed on porous silicon
за авторством: Hasanov, H.A., та інші
Опубліковано: (2008)

Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

On the possibility to estimate the mobility edge position for charge carriers using single-particle averages
за авторством: Ju. V. Skripnik, та інші
Опубліковано: (2018)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Distribution of photocarriers in macroporous silicon in case of the spatially inhomogeneous generation of charge carriers
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2016)

Microstructure of intergranular boundaries in polycrystalline silicon and its effect on the transport of charge carriers
за авторством: B. M. Abdurakhmanov, та інші
Опубліковано: (2010)

Characteristics of the dependences of mobility and concentration of charge carriers in monocrystals CdSb(In) after γ-irradiation
за авторством: Fedosov, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Relaxation changes in the mobility and concentration of charge carriers in Si with deep impurity levels under the action of pulsed pressure
за авторством: O. O. Mamatkarimov, та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of different parameters on the carrier mobility in NWTFET
за авторством: R. Marki, та інші
Опубліковано: (2020)

Effect of different parameters on the carrier mobility in NWTFET
за авторством: Marki, R., та інші
Опубліковано: (2020)

Thermoelectric properties, Shubnikov–de Haas effect and mobility of charged carriers in telluride and selenide of bismuth and antimony and nanocomposite based on these materials
за авторством: V. A. Kulbachinskij, та інші
Опубліковано: (2017)

Oscillatory regularity of charge carrier traps energy spectra in silicon organic polymer poly(di-n-hexylsilane)
за авторством: A. Gumenjuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Oscillatory regularity of charge carrier traps energy spectra in silicon organic polymer poly(di-n-hexylsilane)
за авторством: Gumenjuk, A., та інші
Опубліковано: (2012)

Photogeneration of charge carriers in photosensitive organic semiconductors
за авторством: Barabash, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)

Relaxation of silicon non-equilibrium depletion with majority charge carriers in strong electric fields, its mechanisms and ways to damp it
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2008)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Distribution of non-equilibrium charge carriers in macroporous silicon structure under conditions of their homogeneous generation over the sample bulk
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2015)

Charge carrier generation in photosensitive amorphous molecular semiconductors
за авторством: Zabolotny, M.A.
Опубліковано: (2003)

Quantum effects in a germanium quantum well with ultrahigh carrier mobility
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2019)

Effective minority carrier lifetime and distribution of steady-state excess minority carriers in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2018)

Estimation of frequency characteristics of photodiode determined by motion of charge carriers in the space-charge region
за авторством: Danilyuk, A.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Photogeneration of charge carriers in thin films of PEPC–S60 nanocomposites
за авторством: M. A. Zabolotnyi, та інші
Опубліковано: (2012)

Surface scattering of charge carriers and surface electronic states
за авторством: S. V. Solohub, та інші
Опубліковано: (2015)

Surface scattering of charge carriers and surface electronic states
за авторством: S. V. Sologub, та інші
Опубліковано: (2015)

Supporting the Restructuring
за авторством: V. P. Popov
Опубліковано: (1989)

Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)

Charge carrier scattering mechanisms in thermoelectric PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)

Charge carrier scattering mechanisms in thermoelectric PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)

Accumulation of spin-polarized states of charge carriers and a spintronic battery
за авторством: L. A. Pastur, та інші
Опубліковано: (2020)

Effect of pore depth on the effective minority carrier lifetime in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Thermoelectric heating and cooling in semiconductor structures: nonequilibrium charge carriers. (Review)
за авторством: Yu. Titov, та інші
Опубліковано: (2014)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)