Зображення обкладинки

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	Yu. Dobrovolskyi, L. Pidkamin, V. Brus, V. Kuzenko
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352931
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014)

High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020)

Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)

Thermostabilized photodiode for monitoring radiation of medical lasers
за авторством: Yu. Dobrovolsky, та інші
Опубліковано: (2015)

Thermostabilized photodiode for monitoring radiation of medical lasers
за авторством: Dobrovolsky, Yu., та інші
Опубліковано: (2015)

Investigation High Sensitive Photo Detector Device Based on the Avalanche Photodiode for Optoelectronic Measuring Systems
за авторством: I. A. Braginets, та інші
Опубліковано: (2016)

Precise measurements of the wavelength in KrCl laser spectral region (222 nm)
за авторством: Zubrilin, N.G., та інші
Опубліковано: (2016)

Precise measurements of the wavelength in KrCl laser spectral region (222 nm)
за авторством: N. G. Zubrilin, та інші
Опубліковано: (2016)

Combined detectors of charged particles based on zinc selenide scintillators and silicon photodiodes
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2001)

Multilayer periodic compositions of ZrC/Mg for a wavelength of 30.4 nm
за авторством: L. E. Konotopskij, та інші
Опубліковано: (2015)

Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)

The prospects of use of silicon photodiodes for registration alpha, beta radiation and neutrons
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)

Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation
за авторством: A. V. Kopyshinsky, та інші
Опубліковано: (2012)

Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)

Long wavelength light sensitivity of thin film system based on PbI2 and Cu
за авторством: M. V. Sopinskyy, та інші
Опубліковано: (2015)

Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)

Interdiffusion in EuS -based epitaxial superlattice nanostructures
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2013)

InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of the photodiode spectral sensitivity on the temperature estimation by sxr using thin filtering foils in Uragan-3M
за авторством: Dreval, M.B., та інші
Опубліковано: (2020)

Diffusive Phase Formation in the Nanosize Layer-by-Layer Film Compositions of Pt(15 nm)/Fe(15 nm) and (Pt(7.5 nm)/Fe(7.5 nm))2 on a SiO2(100 nm)/Si(001) Substrate
за авторством: Yu. N. Makohon, та інші
Опубліковано: (2014)

Negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – two interrelated sur-face photoeffects in macroporous silicon
за авторством: N. I. Karas
Опубліковано: (2014)

Method of &quot;cleaning” the surface of responsive elements of silicon p-i-n photodiodes from dislocations
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)

Modelling of epitaxial growth of diamond crystals in high-carbon Fe–Al alloys
за авторством: A. A. Mekhed, та інші
Опубліковано: (2013)

Modelling of Epitaxial Growth of Diamond Crystals in High-Carbon Fe—Al Alloys
за авторством: Mekhed, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2020)

InAs photodiodes (Review. Part IV)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2018)

Features of the formation of multilayered nanoscale Co/C coatings when creating an X-ray imaging system operating at a wavelength λ = 4,86 nm
за авторством: E. A. Bugaev
Опубліковано: (2012)

Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)

Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)

InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Subpixel Detection of Spectrum Images by Photodiode Structures
за авторством: Yegorov, A., та інші
Опубліковано: (2009)

Subpixel Detection of Spectrum Images by Photodiode Structures
за авторством: Yegorov, A. D., та інші
Опубліковано: (2012)

Center-to-limb variation of the Mn I 539.5 nm and the Mn I 543.2 nm line profiles
за авторством: Vince, I., та інші
Опубліковано: (2003)

A new approach to increasing the sensitivity of a gas sensor based on nanocrystalline silicon carbide films
за авторством: A. Semenov, та інші
Опубліковано: (2021)

Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p—i—n Si structures by LPE method
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2013)

Formation of Chemically Ordered L10(FePt) Phase in a Nanosize Film Composition of Fe50Pt50 (15 nm)/Au (30 nm)/Fe50Pt50 (15 nm) at Annealing in Vacuum
за авторством: Yu. M. Makohon, та інші
Опубліковано: (2014)

Quantum electrical capacitance of epitaxial graphene
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2015)

Mechanism of photocurrent amplification in injection photodiodes based on a photosensitive polycrystalline CdS film
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Liquid phase epitaxy and properties of nanoheterostruc-tures based on the III–V compounds
за авторством: I. E. Maronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)