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Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2014
Hauptverfasser:	Yu. Dobrovolskyi, L. Pidkamin, V. Brus, V. Kuzenko
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2014
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352931
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