Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автор: | S. M. Redko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352934 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
за авторством: Red'ko, S.M.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Red'ko, S.M.
Опубліковано: (2014)
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2015)
Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: Red’ko, S.M.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Red’ko, S.M.
Опубліковано: (2015)
Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)
About influences of different actions on spectra of impurity photoluminescence in GaAs
за авторством: Litovchenko, N.M., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Litovchenko, N.M., та інші
Опубліковано: (2001)
Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2016)
Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
за авторством: A. P. Savelyev, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. P. Savelyev, та інші
Опубліковано: (2021)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
Magnetic field impact on electrical properties of ZnSe-GaAs solid solutions
за авторством: Brodovoy, А.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Brodovoy, А.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Influence of microwave radiation treatment on photoluminescent properties of II-VI compounds (Review)
за авторством: R. A. Redko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: R. A. Redko, та інші
Опубліковано: (2017)
Magnetic field effect on the binding energy of a hydrogenic impurity in GaAs-Ga₁₋xAlxAs superlattice
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of gas adsorption on the impedance of porous GaAs
за авторством: Milovanov, Y.S., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Milovanov, Y.S., та інші
Опубліковано: (2017)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
The influence of Cr concentration on time resolution of GaAs detectors
за авторством: Fedorenko, L.L., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Fedorenko, L.L., та інші
Опубліковано: (2006)
Optical approach to analysis of interaction of gallium nitride and weak magnetic fields
за авторством: Red'ko, R.A.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Red'ko, R.A.
Опубліковано: (2015)
The Influence of Weak Magnetic Fields on the Mechanical Properties of Beryllium
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2015)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface
за авторством: Normuradov, M.T., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Normuradov, M.T., та інші
Опубліковано: (2002)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field
за авторством: M. N. Vinoslavskij, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: M. N. Vinoslavskij, та інші
Опубліковано: (2020)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
Effect of γ-irradiation on the structure of high density polyethylene composites with GaAs and GaAs<Te> fillers
за авторством: Gadzhieva, N.N., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Gadzhieva, N.N., та інші
Опубліковано: (2020)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція
за авторством: Paschenko, G. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Paschenko, G. A., та інші
Опубліковано: (2012)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
Схожі ресурси
-
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
за авторством: Red'ko, S.M.
Опубліковано: (2014) -
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2015) -
Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: Red’ko, S.M.
Опубліковано: (2015) -
Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2014) -
Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)