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Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au-TiB2-n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2014
Hauptverfasser:	Ya. Ya. Kudryk, V. V. Shynkarenko, V. S. Slipokurov, R. I. Bigun, Ya. Kudryk
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2014
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353053
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