Зображення обкладинки

Methods for deter-mination of schottky barrier height from I-V curves (review)

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	Ja. Ja. Kudrik, V. V. Shinkarenko, V. S. Slepokurov, R. I. Bigun, Ja. Kudrik
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Optoelectronics and Semiconductor Technique
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363502
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
за авторством: V. V. Basanets, та інші
Опубліковано: (2015)

Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013)

On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)

On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)

Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors
за авторством: Ja. Ja. Kudrik
Опубліковано: (2013)

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au-TiB2-n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
за авторством: P. V. Kuchinskij, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of deformations with higher multiplicities on the barrier height of nuclei
за авторством: Yu. Denysov, та інші
Опубліковано: (2015)

Minimum barrier height for symmetric and asymmetric nuclear systems
за авторством: Yu. Denysov, та інші
Опубліковано: (2015)

Minimum barrier height for symmetric and asymmetric nuclear systems
за авторством: Yu. Denisov, та інші
Опубліковано: (2015)

Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010)

Photoresponse of Schottky-barrier detector under strong IR laser excitation
за авторством: Asmontas, S., та інші
Опубліковано: (2000)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: Vlasov, S.I., та інші
Опубліковано: (2010)

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)

Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)

Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2004)

The role of the US Armed Forces in deterring illegal immigration during the Trump presidency (2017–2021)
за авторством: O. V. Mazurin
Опубліковано: (2023)

Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys
за авторством: I. G. Pashaev
Опубліковано: (2012)

Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)

Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures
за авторством: Abdizhaliev, S.K., та інші
Опубліковано: (2003)

V. I. Vernadsky About Geochemistry of Environment
за авторством: Ja. Belevtsev
Опубліковано: (2013)

Influence of variation of electrical parameters values of RGB LEDs on the radiation uniformity of LED displays at minimal luminosity grade
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Actions aimed at repelling and deterring armed aggression of the Russian Federation in the context of the natural right to necessary defense
за авторством: O. O. Kvasha, та інші
Опубліковано: (2022)

Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current in 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)

Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current for 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)

Simulation of combined Schottky diode
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)

Schottky contact degradation at thermal annealing
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2012)

Lateral photo-emf in Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010)

Protective barriers in nuclear power: general causes of degradation
за авторством: V. N. Vasilchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

The path to scientific heights (to the 90th anniversary of Academician of NAS of Ukraine S.V. Peletminskii)
за авторством: O. S. Bakai, та інші
Опубліковано: (2021)

The Height of the Population of Old Rus Halych
за авторством: T. O. Rudych
Опубліковано: (2022)

On Height of Vertex Identifiers of Vertex Labeled Graphs
за авторством: S. V. Sapunov, та інші
Опубліковано: (2013)