Methods for deter-mination of schottky barrier height from I-V curves (review)
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Ja. Ja. Kudrik, V. V. Shinkarenko, V. S. Slepokurov, R. I. Bigun, Ja. Kudrik |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2014
|
| Schriftenreihe: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363502 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
von: V. V. Basanets, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: V. V. Basanets, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
von: Ja. Ja. Kudrik, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Ja. Ja. Kudrik, et al.
Veröffentlicht: (2013)
On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
von: A. V. Babich
Veröffentlicht: (2014)
von: A. V. Babich
Veröffentlicht: (2014)
On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
von: A. V. Babich
Veröffentlicht: (2014)
von: A. V. Babich
Veröffentlicht: (2014)
Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors
von: Ja. Ja. Kudrik
Veröffentlicht: (2013)
von: Ja. Ja. Kudrik
Veröffentlicht: (2013)
Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au-TiB2-n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
von: Ya. Ya. Kudryk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Ya. Ya. Kudryk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
von: P. V. Kuchinskij, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: P. V. Kuchinskij, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Influence of deformations with higher multiplicities on the barrier height of nuclei
von: Yu. Denysov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Yu. Denysov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Minimum barrier height for symmetric and asymmetric nuclear systems
von: Yu. Denysov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Yu. Denysov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Minimum barrier height for symmetric and asymmetric nuclear systems
von: Yu. Denisov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Yu. Denisov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
von: S. I. Vlasov, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: S. I. Vlasov, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Photoresponse of Schottky-barrier detector under strong IR laser excitation
von: Asmontas, S., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Asmontas, S., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
von: Vlasov, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Vlasov, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2010)
On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
von: Ya. Olikh
Veröffentlicht: (2013)
von: Ya. Olikh
Veröffentlicht: (2013)
Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
von: Ya. Olikh
Veröffentlicht: (2013)
von: Ya. Olikh
Veröffentlicht: (2013)
Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes
von: Latreche, A.
Veröffentlicht: (2019)
von: Latreche, A.
Veröffentlicht: (2019)
SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2004)
The role of the US Armed Forces in deterring illegal immigration during the Trump presidency (2017–2021)
von: O. V. Mazurin
Veröffentlicht: (2023)
von: O. V. Mazurin
Veröffentlicht: (2023)
Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys
von: I. G. Pashaev
Veröffentlicht: (2012)
von: I. G. Pashaev
Veröffentlicht: (2012)
Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
von: A. Latreche
Veröffentlicht: (2019)
von: A. Latreche
Veröffentlicht: (2019)
Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures
von: Abdizhaliev, S.K., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Abdizhaliev, S.K., et al.
Veröffentlicht: (2003)
V. I. Vernadsky About Geochemistry of Environment
von: Ja. Belevtsev
Veröffentlicht: (2013)
von: Ja. Belevtsev
Veröffentlicht: (2013)
Influence of variation of electrical parameters values of RGB LEDs on the radiation uniformity of LED displays at minimal luminosity grade
von: V. P. Veleshchuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: V. P. Veleshchuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Actions aimed at repelling and deterring armed aggression of the Russian Federation in the context of the natural right to necessary defense
von: O. O. Kvasha, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: O. O. Kvasha, et al.
Veröffentlicht: (2022)
Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current in 4H-SiC Schottky barrier diodes
von: A. Latreche
Veröffentlicht: (2019)
von: A. Latreche
Veröffentlicht: (2019)
Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current for 4H-SiC Schottky barrier diodes
von: Latreche, A.
Veröffentlicht: (2019)
von: Latreche, A.
Veröffentlicht: (2019)
Simulation of combined schottky diode
von: Кісельов, Єгор Миколайович
Veröffentlicht: (2015)
von: Кісельов, Єгор Миколайович
Veröffentlicht: (2015)
Simulation of combined schottky diode
von: Кісельов, Єгор Миколайович
Veröffentlicht: (2015)
von: Кісельов, Єгор Миколайович
Veröffentlicht: (2015)
Simulation of combined Schottky diode
von: Ye. M. Kiselov
Veröffentlicht: (2013)
von: Ye. M. Kiselov
Veröffentlicht: (2013)
Schottky contact degradation at thermal annealing
von: E. F. Venger, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: E. F. Venger, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Lateral photo-emf in Schottky contact
von: E. F. Venger, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: E. F. Venger, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Protective barriers in nuclear power: general causes of degradation
von: V. N. Vasilchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. N. Vasilchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
The path to scientific heights (to the 90th anniversary of Academician of NAS of Ukraine S.V. Peletminskii)
von: O. S. Bakai, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: O. S. Bakai, et al.
Veröffentlicht: (2021)
The Height of the Population of Old Rus Halych
von: T. O. Rudych
Veröffentlicht: (2022)
von: T. O. Rudych
Veröffentlicht: (2022)
On Height of Vertex Identifiers of Vertex Labeled Graphs
von: S. V. Sapunov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: S. V. Sapunov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Ähnliche Einträge
-
Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
von: V. V. Basanets, et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
von: Ja. Ja. Kudrik, et al.
Veröffentlicht: (2013) -
On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
von: A. V. Babich
Veröffentlicht: (2014) -
On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
von: A. V. Babich
Veröffentlicht: (2014) -
Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors
von: Ja. Ja. Kudrik
Veröffentlicht: (2013)