Baranskyi, P. I., & Haidar, H. P. (2014). Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Baranskyi, P. I., та H. P. Haidar. Influence of Thermoannealings at 450 and 650 OC on the Tensoresistance and Anisotropy Parameter in Mobility of Silicon Single Crystals. 2014.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Baranskyi, P. I., та H. P. Haidar. Influence of Thermoannealings at 450 and 650 OC on the Tensoresistance and Anisotropy Parameter in Mobility of Silicon Single Crystals. 2014.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.