Baranskyi, P. I., & Haidar, H. P. (2014). Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Baranskyi, P. I., und H. P. Haidar. Influence of Thermoannealings at 450 and 650 OC on the Tensoresistance and Anisotropy Parameter in Mobility of Silicon Single Crystals. 2014.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Baranskyi, P. I., und H. P. Haidar. Influence of Thermoannealings at 450 and 650 OC on the Tensoresistance and Anisotropy Parameter in Mobility of Silicon Single Crystals. 2014.
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