Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2014
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| Schriftenreihe: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363505 |
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| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |