Зображення обкладинки

Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	P. I. Baranskyi, H. P. Haidar
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Optoelectronics and Semiconductor Technique
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363505
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Physical factors that cause the anisotropy of thermoelectromotive and the anisotropy of mobility in multivalley semiconductors
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2013)

Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)

On the methodology of determining the transverse tensoresistance in multi-valley semiconductors
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2022)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)

On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2019)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge &lt;As&gt; single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2015)

Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2015)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)

Tensoresistance of amorphous ferromagnetics
за авторством: M. P. Semenko, та інші
Опубліковано: (2009)

About peculiarities of the anisotropy of thermoelectric effects in semiconductors, connected with the specific manifestations of many valleys
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2012)

Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2014)

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Anisotropy of mechanical properties of oxide single crystals for inorganic scintillators
за авторством: Babiychuk, I.P., та інші
Опубліковано: (2004)

Concentration and temperature dependences of thermoelectric characteristics of the elastically deformed silicon
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2018)

Anisotropy of magnetoresistance in untwinned YBa₂Cu₃O₇₋δ single crystals
за авторством: Vovk, R.V., та інші
Опубліковано: (2012)

Concentration dependences of the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ || and the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermopower M = α || ph/α⊥ ph IN n-Ge and n-Si
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2014)

Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)

Some thermoelectric features of conventional and transmutation doped silicon crystals
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)

Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Peculiarities of high-temperature plastic straining anisotropy in with NaCl type single crystals in creep conditions
за авторством: Matsokin, D.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Study of nanostructured layers of single-crystal silicon by scanning tunnel spectroscopy
за авторством: Kulyk, S.P., та інші
Опубліковано: (2008)

Cluster formations of conducting quantum structures in single-crystal silicon for solar energy
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2009)

Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)

Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)

Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)

The aggregation of point defetc in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)

Investigations of short range ordering in Fe-(5-6)% (at.) Si single crystals with diffusive magnetic anisotropy
за авторством: Serikov, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Tensoresistivity properties of film materials base on Ni and Mo or Cr
за авторством: I. P. Buryk, та інші
Опубліковано: (2009)