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Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2014
Hauptverfasser:	P. I. Baranskyi, H. P. Haidar
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2014
Schriftenreihe:	Optoelectronics and Semiconductor Technique
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363505
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