Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals

Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2014
Hauptverfasser:	P. I. Baranskyi, H. P. Haidar
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2014
Schriftenreihe:	Optoelectronics and Semiconductor Technique
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363505
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
von: H. P. Haidar, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
von: P. I. Baranskii, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
von: Baranskii, P.I., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si
von: P. I. Baranskyi, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Physical factors that cause the anisotropy of thermoelectromotive and the anisotropy of mobility in multivalley semiconductors
von: P. I. Baranskyi, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity
von: D. A. Zakharchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
von: H. P. Haidar, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
von: Gaidar, G.P.
Veröffentlicht: (2015)

On the methodology of determining the transverse tensoresistance in multi-valley semiconductors
von: H. P. Haidar
Veröffentlicht: (2022)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
von: G. P. Gaidar
Veröffentlicht: (2015)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
von: P. I. Baranskii, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
von: Baranskii, P.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉
von: H. P. Haidar
Veröffentlicht: (2019)

Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
von: G. P. Gaidar, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation
von: P. I. Baranskyi, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Tensoresistance of amorphous ferromagnetics
von: M. P. Semenko, et al.
Veröffentlicht: (2009)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
von: G. P. Gaidar, et al.
Veröffentlicht: (2017)

About peculiarities of the anisotropy of thermoelectric effects in semiconductors, connected with the specific manifestations of many valleys
von: P. I. Baranskyi, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
von: Talanin, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Anisotropy of mechanical properties of oxide single crystals for inorganic scintillators
von: Babiychuk, I.P., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Concentration and temperature dependences of thermoelectric characteristics of the elastically deformed silicon
von: H. P. Haidar, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Concentration dependences of the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ || and the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermopower M = α || ph/α⊥ ph IN n-Ge and n-Si
von: G. P. Gaidar, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Anisotropy of magnetoresistance in untwinned YBa₂Cu₃O₇₋δ single crystals
von: Vovk, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Some thermoelectric features of conventional and transmutation doped silicon crystals
von: P. I. Baranskii, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Structural features of doped silicon single crystals
von: Azarenkov, N.A., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
von: Prokopenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
von: G. P. Gaidar, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals
von: Ryzhikov, V.D., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Tensoresistivity properties of film materials base on Ni and Mo or Cr
von: I. P. Buryk, et al.
Veröffentlicht: (2009)

Study of nanostructured layers of single-crystal silicon by scanning tunnel spectroscopy
von: Kulyk, S.P., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Peculiarities of high-temperature plastic straining anisotropy in with NaCl type single crystals in creep conditions
von: Matsokin, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Cluster formations of conducting quantum structures in single-crystal silicon for solar energy
von: V. P. Efimov
Veröffentlicht: (2009)

Tensoresistive effect in the system of potential barriers in semiconductor films
von: G. Guljamov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
von: Sh. D. Kurmashev, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon
von: Ye. I. Kurek, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
von: Filatov, O.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2016)

The aggregation of point defetc in dislocation-free silicon single crystals
von: Talanin, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
von: Dovbnya, A.N., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
von: G. P. Gaidar
Veröffentlicht: (2012)