Development of deep silicon plasma etching for 3D integration technology
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | A. A. Golishnikov, M. G. Putrja |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405244 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Investigation of the influence of oxygen on the rate and anisotropy of deep etching of silicon in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field
за авторством: V. V. Gladkovskij, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. V. Gladkovskij, та інші
Опубліковано: (2017)
Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching
за авторством: I. R. Jatsunskij
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. R. Jatsunskij
Опубліковано: (2013)
Influence of the plasma chemical etching on the silicon plates surface of photo electric converters
за авторством: B. P. Polozov, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: B. P. Polozov, та інші
Опубліковано: (2006)
The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon
за авторством: Fedorovich, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Fedorovich, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)
Experimental research of ICP reactor for plasma-chemical etching
за авторством: Dudin, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Dudin, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Research and development of technological systems based on high-frequency induction discharge for reactive ion-plasma etching of micro- and nanostructures
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2009)
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2009)
High-frequency discharges of low pressure in vacuum-plasma technology of low power-consuming for microstructure etching
за авторством: V. I. Farenik
Опубліковано: (2004)
за авторством: V. I. Farenik
Опубліковано: (2004)
Spectroscopic studies of RF discharge plasma at plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures
за авторством: V. V. Hladkovskiy, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. V. Hladkovskiy, та інші
Опубліковано: (2017)
Spectroscopic studies of RF discharge plasma at plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures
за авторством: V. V. Hladkovskiy, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. V. Hladkovskiy, та інші
Опубліковано: (2017)
Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)
About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2010)
Automated system for real-time control of plasma-chemical etching process in ICP
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)
Energy-saving technology for processing of exhausted etching solutions with obtaining of ferromagnetic compounds
за авторством: Samchenko, Dmitry N., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Samchenko, Dmitry N., та інші
Опубліковано: (2022)
Energy-saving technology for processing of exhausted etching solutions with obtaining of ferromagnetic compounds
за авторством: D. M. Samchenko, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: D. M. Samchenko, та інші
Опубліковано: (2022)
Photostimulated etching of germanium chalcogenide films
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2012)
Magnetotelluric Response Function of 3D Model of Deep Faults
за авторством: T. K. Burakhovich, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: T. K. Burakhovich, та інші
Опубліковано: (2017)
Obtaining periodic layers GaAs by electrochemical etching
за авторством: A. F. Djadenchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. F. Djadenchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)
Photoinduced etching of thin films of chalcogenide glasses
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2012)
State and prospects of development in Ukraine of plasma-arc technologies for obtaining, processing, joining and 3D printing of products from the novel materials
за авторством: V. M. Korzhyk
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. M. Korzhyk
Опубліковано: (2024)
3D printing of metallic volumetric parts of complex shape based on welding plasma-arc technologies (Review)
за авторством: V. N. Korzhik, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. N. Korzhik, та інші
Опубліковано: (2016)
Development of the Market of 3D Technologies in Procurement Production
за авторством: V. S. Doroshenko
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. S. Doroshenko
Опубліковано: (2021)
Photometric monitoring of etching rate of thin dielectric films
за авторством: S. E. Semenova, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: S. E. Semenova, та інші
Опубліковано: (2006)
Automation of measurements of the rate of thin films chemical etching
за авторством: Іваницький, В. П., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Іваницький, В. П., та інші
Опубліковано: (2024)
Silicon semiconductor: technologies and prospects
за авторством: A. M. Verkhovljuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. M. Verkhovljuk, та інші
Опубліковано: (2017)
3D Technology and 2D Materials
за авторством: S. O. Firstov
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. O. Firstov
Опубліковано: (2019)
Optimization of conditions for treatment of ZnSe crystal surfaces by chemical etching
за авторством: V. M. Tomashyk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. M. Tomashyk, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of intensive etching processes on structure and properties of carbon nitride films
за авторством: Shalaev, R.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Shalaev, R.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Sponge-like nanostructured silicon for integrated emitters
за авторством: Hubarevich, A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Hubarevich, A., та інші
Опубліковано: (2010)
Automated method for determining the etch pits density on crystallographic planes of large semiconductor crystals
за авторством: G. S. Pekar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. S. Pekar, та інші
Опубліковано: (2016)
Formation of neutral atomic beam for dry etching and study its charachteristics
за авторством: A. V. Voznyj, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: A. V. Voznyj, та інші
Опубліковано: (2006)
Silicon-on-insulator technology for microelectromechanical applications
за авторством: Usenko, A.Y., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Usenko, A.Y., та інші
Опубліковано: (1999)
Nanodimensional formations on the CdTe and ZnₓCd₁₋ₓTe surfaces at chemical etching
за авторством: Tomashyk, Z.F., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Tomashyk, Z.F., та інші
Опубліковано: (2008)
Modification of optical properties of porous AIIIBV layers produced by anodic etching
за авторством: N. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: N. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2012)
Modification of optical properties of porous AIIIBV layers produced by anodic etching
за авторством: N. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: N. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2012)
Low-temperature deposition of silicon dioxide films in high-density plasma
за авторством: A. Yasunas, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. Yasunas, та інші
Опубліковано: (2013)
Sponge like nanostructured silicon for integrated light emitters
за авторством: A. Hubarevich, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. Hubarevich, та інші
Опубліковано: (2010)
The experiment of integrated mobile technologies used for deep hydrocarbon accumulation prospecting and geophysical mapping at the West Antarctic bottom structures
за авторством: V. D. Solovev, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. D. Solovev, та інші
Опубліковано: (2017)
The experiment of integrated mobile technologies used for deep hydrocarbon accumulation prospecting and geophysical mapping at the West Antarctic bottom structures
за авторством: Solovyov, V. D., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Solovyov, V. D., та інші
Опубліковано: (2017)
Схожі ресурси
-
Investigation of the influence of oxygen on the rate and anisotropy of deep etching of silicon in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field
за авторством: V. V. Gladkovskij, та інші
Опубліковано: (2017) -
Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching
за авторством: I. R. Jatsunskij
Опубліковано: (2013) -
Influence of the plasma chemical etching on the silicon plates surface of photo electric converters
за авторством: B. P. Polozov, та інші
Опубліковано: (2006) -
The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon
за авторством: Fedorovich, О.А., та інші
Опубліковано: (2015) -
Experimental research of ICP reactor for plasma-chemical etching
за авторством: Dudin, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)