Development of deep silicon plasma etching for 3D integration technology
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | A. A. Golishnikov, M. G. Putrja |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405244 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Investigation of the influence of oxygen on the rate and anisotropy of deep etching of silicon in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field
за авторством: V. V. Gladkovskij, та інші
Опубліковано: (2017) -
Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching
за авторством: I. R. Jatsunskij
Опубліковано: (2013) -
Influence of the plasma chemical etching on the silicon plates surface of photo electric converters
за авторством: B. P. Polozov, та інші
Опубліковано: (2006) -
The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon
за авторством: Fedorovich, О.А., та інші
Опубліковано: (2015) -
Experimental research of ICP reactor for plasma-chemical etching
за авторством: Dudin, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)