Ionization annealing of semiconductor crystals. Part one: theoretical background
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | A. S. Garkavenko, V. A. Mokritskij, O. V. Banzak, V. A. Zavadskij |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405270 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Ionization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experiment
за авторством: A. S. Garkavenko, та інші
Опубліковано: (2014) -
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018) -
Development of an automated radiation control system based on semiconductor ionizing radiation detectors
за авторством: Gubarev, S.P., та інші
Опубліковано: (2018) -
Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013) -
Laser desorption/ionization of fullerenes: experimental and theoretical study
за авторством: V. O. Pokrovskiy, та інші
Опубліковано: (2013)