Ionization annealing of semiconductor crystals. Part one: theoretical background
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | A. S. Garkavenko, V. A. Mokritskij, O. V. Banzak, V. A. Zavadskij |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405270 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Ionization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experiment
за авторством: A. S. Garkavenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. S. Garkavenko, та інші
Опубліковано: (2014)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)
Laser desorption/ionization of fullerenes: experimental and theoretical study
за авторством: V. O. Pokrovskiy, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. O. Pokrovskiy, та інші
Опубліковано: (2013)
Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2018)
Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Investigation of photoelectric and photographic characteristics of a semiconductor photographic system of ionization type
за авторством: Kh. T. Juldashev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kh. T. Juldashev, та інші
Опубліковано: (2015)
Thermal stability of high-deformed nonmetallic crystals under static annealing
за авторством: G. S. Olejnik, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. S. Olejnik, та інші
Опубліковано: (2016)
Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2007)
Thermodynamics and crystal chemistry of point defects in PpbTe crystals at two-temperature annealing
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2011)
Automated system for determining the burnup of spent nuclear fuel
за авторством: V. A. Mokritskij, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. A. Mokritskij, та інші
Опубліковано: (2014)
Исследование радиационной стойкости гибридных интегральных микросхем
за авторством: Mokritskij, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Mokritskij, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Analysis of Formal Theoretical Background for Management of Science and Technology Sphere
за авторством: O. A. Mekh
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. A. Mekh
Опубліковано: (2017)
The effect of thermal annealing on linear and nonlinear optical response of dyed KDP crystals
за авторством: Pritula, I., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Pritula, I., та інші
Опубліковано: (2008)
Theoretical study on laser annealing of non-stoichiometric SiOX films
за авторством: O. O. Gavrylyuk
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. O. Gavrylyuk
Опубліковано: (2014)
The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2005)
Conceptualization of the private property legitimation: theoretical and methodological background assumptions
за авторством: V. Reznik
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. Reznik
Опубліковано: (2010)
Conceptualization of the private property legitimation: theoretical and methodological background assumptions
за авторством: V. Reznik
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. Reznik
Опубліковано: (2010)
Conceptualization of the private property legitimation: theoretical and methodological background assumptions
за авторством: V. Reznik
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. Reznik
Опубліковано: (2010)
Theoretical and practical background of legal regulation in the modern Ukraine
за авторством: N. M. Parkhomenko
Опубліковано: (2019)
за авторством: N. M. Parkhomenko
Опубліковано: (2019)
Theoretical and practical background of legal regulation in the modern Ukraine
за авторством: N. M. Parkhomenko
Опубліковано: (2019)
за авторством: N. M. Parkhomenko
Опубліковано: (2019)
Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Experimental and theoretical studies of laser desorption/ionization of methylene blue from the surface of thermally exfoliated graphite
за авторством: V. A. Gabovich, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. A. Gabovich, та інші
Опубліковано: (2012)
Theoretical background of estimation methodology for intellectual property objects investment attractiveness
за авторством: O. M. Reva, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: O. M. Reva, та інші
Опубліковано: (2021)
60 Years of Databases (part one)
за авторством: V. A. Reznichenko
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. A. Reznichenko
Опубліковано: (2021)
Experimental and theoretical studies of laser desorption/ionization of methylene blue from the surface of thermally exfoliated graphite
за авторством: V. O. Habovych, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. O. Habovych, та інші
Опубліковано: (2012)
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)
Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)
On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag₃AsS₃
за авторством: Borovoy, N., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Borovoy, N., та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of surface condition on strain in semiconductor crystal sample
за авторством: Serdega, B.K., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Serdega, B.K., та інші
Опубліковано: (2001)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)
Growth of crystals with bent crystalline lattice in amorphous semiconductor films
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2008)
The way of photonic crystal formation in A³B³ and A²B⁶ semiconductors
за авторством: Kamuz, A.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kamuz, A.M., та інші
Опубліковано: (2003)
Formation and properties of intercalatal nanostructures of an inorganic semiconductor/ferroelectric liquid crystal
за авторством: T. M. Bishchaniuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: T. M. Bishchaniuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Crystallization of rapidly quenched ribbons on the base of Fe₈₂Si₂B₁₆ under isothermal annealing
за авторством: Brud'ko, O.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Brud'ko, O.P., та інші
Опубліковано: (2005)
Theoretical model for negative differential conductance in 2D semiconductor monolayers
за авторством: V. G. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. G. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Theoretical model for negative differential conductance in 2D semiconductor monolayers
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Схожі ресурси
-
Ionization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experiment
за авторством: A. S. Garkavenko, та інші
Опубліковано: (2014) -
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018) -
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018) -
Laser desorption/ionization of fullerenes: experimental and theoretical study
за авторством: V. O. Pokrovskiy, та інші
Опубліковано: (2013) -
Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)