Зображення обкладинки

Ionization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experiment

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	A. S. Garkavenko, V. A. Mokritskij, O. V. Banzak, V. A. Zavadskij
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Technology and design in electronic equipment
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405305
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Ionization annealing of semiconductor crystals. Part one: theoretical background
за авторством: A. S. Garkavenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)

Thermodynamics and crystal chemistry of point defects in PpbTe crystals at two-temperature annealing
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2011)

Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of photoelectric and photographic characteristics of a semiconductor photographic system of ionization type
за авторством: Kh. T. Juldashev, та інші
Опубліковано: (2015)

Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Thermal stability of high-deformed nonmetallic crystals under static annealing
за авторством: G. S. Olejnik, та інші
Опубліковано: (2016)

The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2005)

Automated system for determining the burnup of spent nuclear fuel
за авторством: V. A. Mokritskij, та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование радиационной стойкости гибридных интегральных микросхем
за авторством: Mokritskij, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)

Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Crystallization of rapidly quenched ribbons on the base of Fe₈₂Si₂B₁₆ under isothermal annealing
за авторством: Brud'ko, O.P., та інші
Опубліковано: (2005)

Growth of crystals with bent crystalline lattice in amorphous semiconductor films
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2008)

The way of photonic crystal formation in A³B³ and A²B⁶ semiconductors
за авторством: Kamuz, A.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Formation and properties of intercalatal nanostructures of an inorganic semiconductor/ferroelectric liquid crystal
за авторством: T. M. Bishchaniuk, та інші
Опубліковано: (2013)

On Bose condensation of exitons in quasi-two-dimensional semiconductor heterostructures
за авторством: V. B. Timofeev
Опубліковано: (2012)

On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag3AsS3
за авторством: N. Borovoy, та інші
Опубліковано: (2013)

Energy expenditure for water molecule ionization by electron impact in weakly ionized plasma
за авторством: Yu. V. Kovtun
Опубліковано: (2016)

Energy expenditure for water molecule ionization by electron impact in weakly ionized plasma
за авторством: Yu. V. Kovtun
Опубліковано: (2016)

Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X&lt;2
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2010)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of pre-growth annealing on the properties of nonpurified cadmium telluride single crystals obtained by sublimation method
за авторством: V. D. Popovych, та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of pre-growth annealing on the properties of nonpurified cadmium telluride single crystals obtained by sublimation method
за авторством: V. D. Popovych, та інші
Опубліковано: (2012)

X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals
за авторством: I. L. Shulpina, та інші
Опубліковано: (2011)

Single-photon superradiance in a single-crystal semiconductor film in the saturation mode
за авторством: A. G. Moiseev, та інші
Опубліковано: (2018)

60 Years of Databases (part two)
за авторством: Reznichenko, V.A.
Опубліковано: (2022)

Automated method for determining the etch pits density on crystallographic planes of large semiconductor crystals
за авторством: G. S. Pekar, та інші
Опубліковано: (2016)

X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Strong-field approximation for analytical calculation of the residual current density excited by gas ionization with an intense two-color laser pulse
за авторством: Romanov, A.A., та інші
Опубліковано: (2015)

The model of clusters formation on the surface of semiconductor crystals of the A3B5 group
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2015)

Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of doping and annealing on crystal structure and magnetic properties of La₁–xAgxMnO₃ magnetic nanoparticles
за авторством: Zentková, M., та інші
Опубліковано: (2017)

Correction of velocity profile by the method of imitation of annealing
за авторством: M. A. Lazarenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Development of principles for constructing a pre-transformer part of magnetic-semiconductor pulse generators
за авторством: I. V. Volkov, та інші
Опубліковано: (2017)

Dislocations and crowdions in two-dimensional crystals. Part III: Plastic deformation of a crystal as a result of movement of defects and their interaction with the field of elastic stresses
за авторством: V. D. Natsik, та інші
Опубліковано: (2016)

Dislocations and crowdions in two-dimensional crystals. Part II: Elastic fields and intrinsic energies of the above defects in a crystal with a plane hexagonal lattice
за авторством: V. D. Natsik, та інші
Опубліковано: (2015)

Electron impact ionization of tellurium in the gas phase
за авторством: O. B. Shpenyk, та інші
Опубліковано: (2018)