Зображення обкладинки

Ionization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experiment

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	A. S. Garkavenko, V. A. Mokritskij, O. V. Banzak, V. A. Zavadskij
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Technology and design in electronic equipment
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405305
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Ionization annealing of semiconductor crystals. Part one: theoretical background
за авторством: A. S. Garkavenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)

Thermodynamics and crystal chemistry of point defects in PpbTe crystals at two-temperature annealing
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2011)

Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2018)

Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of photoelectric and photographic characteristics of a semiconductor photographic system of ionization type
за авторством: Kh. T. Juldashev, та інші
Опубліковано: (2015)

Thermal stability of high-deformed nonmetallic crystals under static annealing
за авторством: G. S. Olejnik, та інші
Опубліковано: (2016)

Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Automated system for determining the burnup of spent nuclear fuel
за авторством: V. A. Mokritskij, та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование радиационной стойкости гибридных интегральных микросхем
за авторством: Mokritskij, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

The effect of thermal annealing on linear and nonlinear optical response of dyed KDP crystals
за авторством: Pritula, I., та інші
Опубліковано: (2008)

The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2005)

Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)

On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag₃AsS₃
за авторством: Borovoy, N., та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of surface condition on strain in semiconductor crystal sample
за авторством: Serdega, B.K., та інші
Опубліковано: (2001)

Superconducting properties of a two-dimensional doped semiconductor
за авторством: Loktev, V.M., та інші
Опубліковано: (2010)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)

Growth of crystals with bent crystalline lattice in amorphous semiconductor films
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2008)

The way of photonic crystal formation in A³B³ and A²B⁶ semiconductors
за авторством: Kamuz, A.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Formation and properties of intercalatal nanostructures of an inorganic semiconductor/ferroelectric liquid crystal
за авторством: T. M. Bishchaniuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Crystallization of rapidly quenched ribbons on the base of Fe₈₂Si₂B₁₆ under isothermal annealing
за авторством: Brud'ko, O.P., та інші
Опубліковано: (2005)

Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals
за авторством: Bogoboyashchiy, V.V.
Опубліковано: (1999)

60 Years of Databases (part two)
за авторством: Reznichenko, V.A.
Опубліковано: (2022)

Energy expenditure for water molecule ionization by electron impact in weakly ionized plasma
за авторством: Yu. V. Kovtun
Опубліковано: (2016)

Energy expenditure for water molecule ionization by electron impact in weakly ionized plasma
за авторством: Yu. V. Kovtun
Опубліковано: (2016)

On Bose condensation of exitons in quasi-two-dimensional semiconductor heterostructures
за авторством: V. B. Timofeev
Опубліковано: (2012)

Spin polarization in semimagnetic semiconductor two barrier spin filters
за авторством: Lev, S.B., та інші
Опубліковано: (2007)

Transformation of spinel crystals structure МgО·nАІ₂O₃ under high-temperature annealing
за авторством: Belykh, G.I., та інші
Опубліковано: (2009)

Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X&lt;2
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2010)

NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors
за авторством: Gnatenko, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2008)

On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag3AsS3
за авторством: N. Borovoy, та інші
Опубліковано: (2013)

Amplitude synchronization in a system of two coupled semiconductor lasers
за авторством: Lykova, O. B., та інші
Опубліковано: (2008)

Strong-field approximation for analytical calculation of the residual current density excited by gas ionization with an intense two-color laser pulse
за авторством: Romanov, A.A., та інші
Опубліковано: (2015)

X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals
за авторством: I. L. Shulpina, та інші
Опубліковано: (2011)