Buchumschlag

Ionization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experiment

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2014
Hauptverfasser:	A. S. Garkavenko, V. A. Mokritskij, O. V. Banzak, V. A. Zavadskij
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2014
Schriftenreihe:	Technology and design in electronic equipment
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405305
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Ionization annealing of semiconductor crystals. Part one: theoretical background
von: A. S. Garkavenko, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
von: M. Zavada, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
von: Zavada, M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Thermodynamics and crystal chemistry of point defects in PpbTe crystals at two-temperature annealing
von: D. M. Freik, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Thick layers liquid-phase epitaxy method
von: S. N. Dranchuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Cyclotron radiation of semiconductor crystals
von: G. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Cyclotron radiation of semiconductor crystals
von: Milenin, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Investigation of photoelectric and photographic characteristics of a semiconductor photographic system of ionization type
von: Kh. T. Juldashev, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Thermal stability of high-deformed nonmetallic crystals under static annealing
von: G. S. Olejnik, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing
von: Shutov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Automated system for determining the burnup of spent nuclear fuel
von: V. A. Mokritskij, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование радиационной стойкости гибридных интегральных микросхем
von: Mokritskij, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

The effect of thermal annealing on linear and nonlinear optical response of dyed KDP crystals
von: Pritula, I., et al.
Veröffentlicht: (2008)

The growth of Sb₂S₃ crystals with bend lattice during amorphous films annealing and condensation
von: Bagmut, A.G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
von: Baranskyy, P.I., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
von: Bunak, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
von: S. V. Lunov, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
von: S. V. Luniov, et al.
Veröffentlicht: (2019)

On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag₃AsS₃
von: Borovoy, N., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Effect of surface condition on strain in semiconductor crystal sample
von: Serdega, B.K., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Superconducting properties of a two-dimensional doped semiconductor
von: Loktev, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Growth of crystals with bent crystalline lattice in amorphous semiconductor films
von: Bagmut, A.G., et al.
Veröffentlicht: (2008)

The way of photonic crystal formation in A³B³ and A²B⁶ semiconductors
von: Kamuz, A.M., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Formation and properties of intercalatal nanostructures of an inorganic semiconductor/ferroelectric liquid crystal
von: T. M. Bishchaniuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Crystallization of rapidly quenched ribbons on the base of Fe₈₂Si₂B₁₆ under isothermal annealing
von: Brud'ko, O.P., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals
von: Bogoboyashchiy, V.V.
Veröffentlicht: (1999)

60 Years of Databases (part two)
von: Reznichenko, V.A.
Veröffentlicht: (2022)

Energy expenditure for water molecule ionization by electron impact in weakly ionized plasma
von: Yu. V. Kovtun
Veröffentlicht: (2016)

Energy expenditure for water molecule ionization by electron impact in weakly ionized plasma
von: Yu. V. Kovtun
Veröffentlicht: (2016)

On Bose condensation of exitons in quasi-two-dimensional semiconductor heterostructures
von: V. B. Timofeev
Veröffentlicht: (2012)

Spin polarization in semimagnetic semiconductor two barrier spin filters
von: Lev, S.B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Transformation of spinel crystals structure МgО·nАІ₂O₃ under high-temperature annealing
von: Belykh, G.I., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X&lt;2
von: S. V. Bunak, et al.
Veröffentlicht: (2010)

NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors
von: Gnatenko, Yu.P., et al.
Veröffentlicht: (2008)

On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag3AsS3
von: N. Borovoy, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Amplitude synchronization in a system of two coupled semiconductor lasers
von: Lykova, O. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Strong-field approximation for analytical calculation of the residual current density excited by gas ionization with an intense two-color laser pulse
von: Romanov, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals
von: I. L. Shulpina, et al.
Veröffentlicht: (2011)