Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers

Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	Sh. D. Kurmashev, O. A. Kulinich, G. I. Brusenskaja, A. V. Veremeva
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Technology and design in electronic equipment
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405306
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Single-crystal silicon solar cell efficiency increase in magnetic field
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)

Study of nanostructured layers of single-crystal silicon by scanning tunnel spectroscopy
за авторством: Kulyk, S.P., та інші
Опубліковано: (2008)

Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)

Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Comprehensive studies of defect production and strained states in silicon epitaxial layers and device structures based on them
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2001)

Radiative recombination in BiI₃(Mn) and BiI₃(Cr) layered single crystals
за авторством: Motsnyi, F.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Gamma-radiation spectra of 1200MeV electrons in thick beryllium, silicon and tungsten single crystals
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2019)

Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model
за авторством: Z. Z. Alisultanov
Опубліковано: (2013)

Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model
за авторством: Alisultanov, Z.Z.
Опубліковано: (2013)

Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)

Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)

An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)

The aggregation of point defetc in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Polishing of opto-electronic equipment elements from single-crystal silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2015)

Physical properties of layered FeIn₂Se₄ single crystals
за авторством: Boledzyuk, V.B., та інші
Опубліковано: (2016)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)

Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Effect of a weak constant magnetic field on the silicon single crystal structure
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2011)

Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Study of electrical resistance single crystals of synthetic diamond
за авторством: K. Khajdarov, та інші
Опубліковано: (2016)

Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO₂ structure
за авторством: Yatsunskiy, I.R., та інші
Опубліковано: (2010)

Crystallization mechanism control during epitaxy from solution-melt
за авторством: Baganov, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2006)

Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2018)

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Features of the technology of formation of metal contacts to discrete IR and THz radiation detectors based on CdHgTe epitaxial layers
за авторством: Z. F. Tsybrii
Опубліковано: (2019)

Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2004)

Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO2 structure
за авторством: I. R. Yatsunskiy, та інші
Опубліковано: (2010)

Modelling of Epitaxial Growth of Diamond Crystals in High-Carbon Fe—Al Alloys
за авторством: Mekhed, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)

Modelling of epitaxial growth of diamond crystals in high-carbon Fe–Al alloys
за авторством: A. A. Mekhed, та інші
Опубліковано: (2013)

Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)

Polarized radiation interferometry research of thermoelasticity in silicon crystal with the use of modulation polarimetry
за авторством: I. A. Minailova
Опубліковано: (2015)

Polarized radiation interferometry research of thermoelasticity in silicon crystal with the use of modulation polarimetry
за авторством: I. A. Minailova
Опубліковано: (2015)