Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers

Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2014
Hauptverfasser:	Sh. D. Kurmashev, O. A. Kulinich, G. I. Brusenskaja, A. V. Veremeva
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2014
Schriftenreihe:	Technology and design in electronic equipment
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405306
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