A New Model of Quantum Dot Light Emitting-Absorbing Devices
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | H. Neidhardt, L. Wilhelm, V. A. Zagrebnov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Journal of mathematical physics, analysis, geometry |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000491092 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
A New Model of Quantum Dot Light Emitting-Absorbing Devices
за авторством: Neidhardt, H., та інші
Опубліковано: (2014) -
Model of heterotransistor with quantum dots
за авторством: V. I. Timofeyev, та інші
Опубліковано: (2010) -
Model of heterotransistor with quantum dots
за авторством: Timofeyev, V.I., та інші
Опубліковано: (2010) -
Modelling of Electron States in Conical Quantum Dots
за авторством: N. L. Sosnytska, та інші
Опубліковано: (2019) -
Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)