A New Model of Quantum Dot Light Emitting-Absorbing Devices

A New Model of Quantum Dot Light Emitting-Absorbing Devices

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2014
Hauptverfasser:	H. Neidhardt, L. Wilhelm, V. A. Zagrebnov
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2014
Schriftenreihe:	Journal of mathematical physics, analysis, geometry
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000491092
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

A New Model of Quantum Dot Light Emitting-Absorbing Devices
von: Neidhardt, H., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Model of heterotransistor with quantum dots
von: V. I. Timofeyev, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Model of heterotransistor with quantum dots
von: Timofeyev, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
von: R. M. Peleshchak, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
von: R. M. Peleshchak, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Modelling of Electron States in Conical Quantum Dots
von: N. L. Sosnytska, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Heat transfer in a layer absorbing, emitting and scattering IR-radiation in the volume and on the surface
von: V. F. Chekurin, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Light absorption coefficient of an ordered array of spherical quantum dot chains
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Features of current-voltage characteristics inherent to GaP light-emitting diodes with quantum wells
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Effect of quantum dot shape of the GaAs/AlAs heterostructure on interlevel hole light absorption
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Acoustic emission of the light emitting diodes (review)
von: O. I. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Analysis of the effect of polarization traps and shallow impurities on the interlevel light absorption of quantum dots
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe₁₋x quantum dots
von: Kulish, M.R., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Cascade three-component composition on polystyrene basis absorbing in visible range and emitting in near IR
von: Bedrik, A.I., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Light-emitting properties of BN synthesized by different techniques
von: Yu. Rudko, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Model of optical transitions in A₂B₆ wurtzite type quantum dots
von: Kunets, V.P.
Veröffentlicht: (1999)

Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe1-x quantum dots
von: M. R. Kulish, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Polaron in cylindrical and spherical quantum dots
von: Fai, L.C., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Probing of quantum turbulence with the emitting vortex loops
von: S. K. Nemirovskii
Veröffentlicht: (2014)

Probing of quantum turbulence with the emitting vortex loops
von: Nemirovskii, S.K.
Veröffentlicht: (2014)

Measurements of pulsed electron beams emitted from plasma-focus devices
von: Jakubowski, L., et al.
Veröffentlicht: (2005)

1,4-bis(2,2-diphenylethenyl)benzene as an efficient emitting material for organic light emitting diodes
von: Fenenko, L., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Polaritons in a nonideal array of ultracold quantum dots
von: V. V. Rumyantsev, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Polaritons in a nonideal array of ultracold quantum dots
von: Rumyantsev, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
von: Borzakovskyj, A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Experimental and Numerical Modeling of the Extrusion Process in 1050A Aluminum Alloy for Design of Impact Energy-Absorbing Devices
von: Ryzińska, G., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Hydrogenic impurity in a bilayer spherical quantum dot
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Electronic and magnetic properties of graphite quantum dots
von: H. Abdelsalam, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Electronic and magnetic properties of graphite quantum dots
von: Abdelsalam, H., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Exciton in closed and opened quantum dot
von: Tkach, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
von: O. M. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Acoustic emission and fluctuations of electroluminescence intensity in light-emitting heterostructures
von: V. P. Veleschuk, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Acoustic emission and fluctuations of electroluminescence intensity in light-emitting heterostructures
von: Veleschuk, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
von: Hontaruk, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Off-central acceptor impurity in a spherical quantum dot
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Fluctuations in quantum devices
von: Haken, H.
Veröffentlicht: (2004)

Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots
von: Pokutnyi, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2017)

A theoretical model for exciton binding energies in rectangular and parabolic spherical finite quantum dots
von: A. Taqi, et al.
Veröffentlicht: (2012)

A theoretical model for exciton binding energies in rectangular and parabolic spherical finite quantum dots
von: Taqi, A., et al.
Veröffentlicht: (2012)