Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000696802 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|