Spectral characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs
Збережено в:
| Дата: | 2021 |
|---|---|
| Автори: | R. M. Vernydub, O. I. Kyrylenko, O. V. Konoreva, D. P. Stratilat, V. P. Tartachnyk, M. M. Filonenko, V. V. Shlapatska |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2021
|
| Назва видання: | Nuclear physics and atomic energy |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001296878 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)
Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)
Negative differential resistance and spectral characteristics of original and electron-irradiated (with E = 2 MeV) GaAs1-xPx LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2024)
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)
Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020)
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: Hontaruk, O., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Hontaruk, O., та інші
Опубліковано: (2010)
Degradation and recovery features of irradiated GAP LEDs
за авторством: O. P. Budnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: O. P. Budnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy
за авторством: Tsybulenko, V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Tsybulenko, V., та інші
Опубліковано: (2008)
Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2010)
Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)
Acoustic-stimulated relaxation of GaAs1–khPkh LEDs electroluminescence intensity
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2016)
Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2015)
Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)
Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)
Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)
Non-destructive control and diagnostics of led GaN structures by using microplasmas (Review)
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
за авторством: V. H. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. H. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2015)
Electrophysical сharacteristics of LEDs based on GaN epitaxial films
за авторством: Oleksenko, P.Ph., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Oleksenko, P.Ph., та інші
Опубліковано: (1998)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)
Measurement of the photometric characteristics of LEDs
за авторством: Nazarenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Nazarenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2015)
Antioxidant system of Spirulina platensis (Nordst.) Geitler under the LED lighting of different spectral compositions
за авторством: N. V. Kozel, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: N. V. Kozel, та інші
Опубліковано: (2016)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)
Degradation processes in LED modules
за авторством: V. M. Sorokin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. M. Sorokin, та інші
Опубліковано: (2016)
Degradation processes in LED modules
за авторством: Sorokin, V.M., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sorokin, V.M., та інші
Опубліковано: (2016)
Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)
Influence of variation of electrical parameters values of RGB LEDs on the radiation uniformity of LED displays at minimal luminosity grade
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals
за авторством: Pashayev, A.M., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Pashayev, A.M., та інші
Опубліковано: (2019)
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
On application of heat-conductive plastics in LED technology
за авторством: Yu. V. Trofimov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Yu. V. Trofimov, та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019) -
Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021) -
Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020) -
Negative differential resistance and spectral characteristics of original and electron-irradiated (with E = 2 MeV) GaAs1-xPx LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2024) -
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)