Switching of current and voltage when heating non-transition polycrystalline silicon doped with alkali metals in the region of grain boundaries
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | L. O. Olimov, B. M. Abdurakhmanov, F. L. Omonboev |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000971636 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Microstructure of intergranular boundaries in polycrystalline silicon and its effect on the transport of charge carriers
за авторством: B. M. Abdurakhmanov, та інші
Опубліковано: (2010) -
Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013) -
Model of the grain boundary in p-n-structures based on polycrystalline semiconductors
за авторством: L. O. Olimov
Опубліковано: (2010) -
Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2015)