Switching of current and voltage when heating non-transition polycrystalline silicon doped with alkali metals in the region of grain boundaries
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | L. O. Olimov, B. M. Abdurakhmanov, F. L. Omonboev |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000971636 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013)
Microstructure of intergranular boundaries in polycrystalline silicon and its effect on the transport of charge carriers
за авторством: B. M. Abdurakhmanov, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: B. M. Abdurakhmanov, та інші
Опубліковано: (2010)
Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)
Model of the grain boundary in p-n-structures based on polycrystalline semiconductors
за авторством: L. O. Olimov
Опубліковано: (2010)
за авторством: L. O. Olimov
Опубліковано: (2010)
Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2015)
Grain boundaries and their influence on the properties of polycrystalline materials. Part 2.
за авторством: O. D. Vasyliev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. D. Vasyliev, та інші
Опубліковано: (2018)
Grain boundaries and their influence on the properties of polycrystalline materials. Part 1 (survey)
за авторством: O. D. Vasyliev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. D. Vasyliev, та інші
Опубліковано: (2018)
The process of forming the polycrystalline silicon wafer from the powder raw material and analyzing the impurity composition of their surface
за авторством: R. Aliev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: R. Aliev, та інші
Опубліковано: (2011)
The Switching in Voltage Transformer
за авторством: Yu. I. Tuhai, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Yu. I. Tuhai, та інші
Опубліковано: (2016)
Luminescence kinetics of alkali halide crystals doped with nitrite anions
за авторством: Sakun, V.P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Sakun, V.P., та інші
Опубліковано: (2006)
Quantum chemical simulation of surface hydrophobization of silicate materials with alkali siliconates
за авторством: A. H. Hrebeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. H. Hrebeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Use of New Principle of Switching Reference Voltages of High-Voltage DAC
за авторством: S. G. Taranov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. G. Taranov, та інші
Опубліковано: (2014)
Research of the influence of siliconizing on the structure and properties of hot-pressed polycrystalline silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Grain Boundary Diffusion with Simultaneous Chemical Interaction in Grain Boundary
за авторством: A. L. Petelin, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. L. Petelin, та інші
Опубліковано: (2013)
On the influence of grain boundaries on the transition from translational to rotational mechanism of deformation
за авторством: Ju. N. Podrezov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ju. N. Podrezov, та інші
Опубліковано: (2016)
The negatronic elements on the basis of local polycrystalline silicon films
за авторством: F. D. Kasimov, та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: F. D. Kasimov, та інші
Опубліковано: (2002)
Powerful High-Voltage Generators with the Semiconductor Switches
за авторством: N. I. Bojko
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. I. Bojko
Опубліковано: (2014)
Sub-nanosecond switching of high-voltage trigatrons
за авторством: M. I. Boiko
Опубліковано: (2024)
за авторством: M. I. Boiko
Опубліковано: (2024)
Investigations of passive Q-switching in YAG:Nd lasers with Q-switches based on dye-doped polyurethane matrices
за авторством: V. I. Bezrodnyj, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. I. Bezrodnyj, та інші
Опубліковано: (2016)
Determination of cerium valence state in alkali and alkali-earth borates
за авторством: Gaiduk, O.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Gaiduk, O.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Mechanism of adsorption-catalytic activity at the nanostructured surface of silicon doped with clusters of transition metals and their oxides
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Mechanism of adsorption-catalytic activity at the nanostructured surface of silicon doped with clusters of transition metals and their oxides
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Nanostructured samaria-doped ceria with improved grain-boundary conductivity via SPS and post-SPS annealing
за авторством: I. Solodkyi, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. Solodkyi, та інші
Опубліковано: (2013)
Switching discharge phenomena when use composite materials Su—Sr under low voltage DC inductive load a small power
за авторством: G. Wiśniewski, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: G. Wiśniewski, та інші
Опубліковано: (2014)
Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Properties of diamond polycrystalline composite material obtained in the diamond-graphene-silicon system
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Simulation of the interaction of plastic zone dislocations with the grain boundary at brittle-plastic transition temperatures in molybdenum
за авторством: K. M. Borysovska, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: K. M. Borysovska, та інші
Опубліковано: (2021)
Boron Carbides of Alkali and Alkali-Earth Metals as Possible Hydrogen Storages. Hydrogen Solubility
за авторством: Z. A. Matysina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Z. A. Matysina, та інші
Опубліковано: (2013)
Synthesis of cubic boron nitride with using of dense modifications of boron nitride polycrystalline grains
за авторством: I. O. Borymskyi
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. O. Borymskyi
Опубліковано: (2017)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Using a cell fluid model for the description of a phase transition in simple liquid alkali metals
за авторством: M. P. Kozlovskii, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: M. P. Kozlovskii, та інші
Опубліковано: (2017)
Using a cell fluid model for the description of a phase transition in simple liquid alkali metals
за авторством: M. P. Kozlovskii, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: M. P. Kozlovskii, та інші
Опубліковано: (2017)
Content of inorganic elements in winter wheat grain when controlling fusarium
за авторством: L. M. Mykhalska, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: L. M. Mykhalska, та інші
Опубліковано: (2019)
Light collection simulation when determining light yield of single crystal and polycrystalline organic scintillators
за авторством: Gorbacheva, T.E., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Gorbacheva, T.E., та інші
Опубліковано: (2015)
Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)
Схожі ресурси
-
Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Microstructure of intergranular boundaries in polycrystalline silicon and its effect on the transport of charge carriers
за авторством: B. M. Abdurakhmanov, та інші
Опубліковано: (2010) -
Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013) -
Model of the grain boundary in p-n-structures based on polycrystalline semiconductors
за авторством: L. O. Olimov
Опубліковано: (2010) -
Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2015)