Зображення обкладинки

Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	A. V. Karimov, A. A. Karimov, A. Z. Rakhmatov, K. T. Dadamatova
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000971638
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures
за авторством: A. Z. Rakhmatov, та інші
Опубліковано: (2012)

Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)

Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)

Influence of neutron irradiation on the modulation processes of the base region of the silicon p+nn+-structure
за авторством: A. Z. Rakhmatov
Опубліковано: (2013)

Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2019)

Millimeter wave p—i—n-diode switching controlled devices
за авторством: N. F. Karushkin, та інші
Опубліковано: (2016)

The technology of obtaining and studying heterostructural solar cells based on n-CdS/p-CdTe
за авторством: Sh. B. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)

Frequency multipliers on semiconductor diode structures
за авторством: N. F. Karushkin
Опубліковано: (2018)

Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Modelling silicon solar element with p–n vertical shift
за авторством: A. B. Gnilenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Simulation of the Charge Carriers Distribution in the Active Region of the p-i-n-diodes by the Perturbation Theory Methods
за авторством: Ya. Bomba, та інші
Опубліковано: (2021)

Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018)

Dynamics of two-frequency avalanche-generator diodes of microwave range
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2015)

Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)

Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)

Gunn Diode Millimetre-Wave Frequency Shift Mixer-Amplifier
за авторством: Plaksin, S. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Humidity Diode Sensors Based on 1D Nanosized Silicon Structures
за авторством: Ya. O. Linevych, та інші
Опубліковано: (2024)

Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures
за авторством: R. A. Mumimov, та інші
Опубліковано: (2010)

High-frequency properties of the electron flow slowing down in a planar diode
за авторством: Pashchenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2011)

High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020)

Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2010)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)

Neutron irradiation influence on the silicon voltage limiter parameters
за авторством: Rakhmatov, A.Z., та інші
Опубліковано: (2012)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Influence of Temperature on Energy and Frequency Characteristics of mm-Waves Heterocathode Gunn Diodes
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Concerning the depletion width of a radial p-n junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2017)

Double splitting of multiplication layer in avalanche generating diodes and generation of two-frequency self-oscillations
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown
за авторством: A. B. Aleinikov, та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown
за авторством: Aleinikov, A.B., та інші
Опубліковано: (2012)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)

Method of &quot;cleaning” the surface of responsive elements of silicon p-i-n photodiodes from dislocations
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)