Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | A. V. Karimov, A. A. Karimov, A. Z. Rakhmatov, K. T. Dadamatova |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000971638 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures
за авторством: A. Z. Rakhmatov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. Z. Rakhmatov, та інші
Опубліковано: (2012)
Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2018)
Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)
Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)
Influence of neutron irradiation on the modulation processes of the base region of the silicon p+nn+-structure
за авторством: A. Z. Rakhmatov
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. Z. Rakhmatov
Опубліковано: (2013)
Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2019)
Millimeter wave p—i—n-diode switching controlled devices
за авторством: N. F. Karushkin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: N. F. Karushkin, та інші
Опубліковано: (2016)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
The technology of obtaining and studying heterostructural solar cells based on n-CdS/p-CdTe
за авторством: Sh. B. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Sh. B. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015)
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)
Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2000)
Modelling silicon solar element with p–n vertical shift
за авторством: A. B. Gnilenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. B. Gnilenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Frequency multipliers on semiconductor diode structures
за авторством: N. F. Karushkin
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. F. Karushkin
Опубліковано: (2018)
Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)
Simulation of the Charge Carriers Distribution in the Active Region of the p-i-n-diodes by the Perturbation Theory Methods
за авторством: Ya. Bomba, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Ya. Bomba, та інші
Опубліковано: (2021)
Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018)
Be-ion-implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication, and characterization
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Dynamics of two-frequency avalanche-generator diodes of microwave range
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2015)
Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)
Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)
A new method of extraction of a p-n diode series resistance from I-V characteristics and its application to analysis of low-temperature conduction of the diode base
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2009)
Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures
за авторством: R. A. Mumimov, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: R. A. Mumimov, та інші
Опубліковано: (2010)
Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures
за авторством: Mumimov, R.A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Mumimov, R.A., та інші
Опубліковано: (2010)
Gunn Diode Millimetre-Wave Frequency Shift Mixer-Amplifier
за авторством: Plaksin, S. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Plaksin, S. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Neutron irradiation influence on the silicon voltage limiter parameters
за авторством: Rakhmatov, A.Z., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Rakhmatov, A.Z., та інші
Опубліковано: (2012)
High-frequency properties of the electron flow slowing down in a planar diode
за авторством: Pashchenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Pashchenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Humidity Diode Sensors Based on 1D Nanosized Silicon Structures
за авторством: Ya. O. Linevych, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Ya. O. Linevych, та інші
Опубліковано: (2024)
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)
Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012)
High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2010)
Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: Ivashchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ivashchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2010)
Схожі ресурси
-
Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures
за авторством: A. Z. Rakhmatov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2018) -
Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013) -
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010) -
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)