Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | P. V. Kuchinskij, F. F. Komarov, O. V. Milchanin, T. B. Kovaleva, V. A. Solodukha, A. S. Turtsevich, Ja. A. Solovev, S. V. Gaponenko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2014
|
| Назва видання: | Electrical Contacts and Electrodes. Series : Composite, Layered and Gradient Materials and Coatings |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001168082 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010)
Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012)
Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
Simulation of combined Schottky diode
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)
Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)
Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current in 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)
Nonlinear Analysis of Millimeter-Wave Schottky Diode Mixers
за авторством: Piddyachiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Piddyachiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2013)
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2019)
Microwave diodes with contact metallization systems based on silicides, nitrides and borides of refractory metals
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2000)
Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
Methods for deter-mination of schottky barrier height from I-V curves (review)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2014)
SCHOTTKY DIODE TRIPLER IN THE 3-MM WAVE RECEIVER FOR INVESTIGATION OF ATMOSPHERIC GASES
за авторством: Piddyachiy, V. I.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Piddyachiy, V. I.
Опубліковано: (2015)
Schottky Diode Tripler in the 3-mm Wave Receiver for Investigation of Atmospheric Gases
за авторством: V. I. Podjachij
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. I. Podjachij
Опубліковано: (2015)
Active region of CdTe X-/γ-ray detector with Schottky diode
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2005)
On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)
On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)
Calculating the electronic transmission properties of semiconducting carbon nanotube Schottky diodes with increase in diameter
за авторством: R. Nizam, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. Nizam, та інші
Опубліковано: (2012)
Radiation-resistant photostructure for Schottky diode based on Cr/In2Hg3Te6
за авторством: A. A. Ashcheulov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. A. Ashcheulov, та інші
Опубліковано: (2016)
Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au-TiB2-n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2014)
Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)
Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys
за авторством: I. G. Pashaev
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. G. Pashaev
Опубліковано: (2012)
Kinetic of wetting of zirconia by platinum
за авторством: A. V. Durov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. V. Durov, та інші
Опубліковано: (2012)
Rhenium–platinum antitumor systems
за авторством: A. V. Shtemenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Shtemenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Schottky contact degradation at thermal annealing
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2012)
Lateral photo-emf in Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010)
Production and investigation of Cu/thin intermediate tunnel-transparent dielectric oxide layer/n-Pb₀.₉₃₅Sn₀.₀₆₅Te₀.₂₄₃Se₀.₇₅₇/In Schottky barrier structures
за авторством: Tkachuk, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Tkachuk, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Synthesis of chromium silicides in ionic melts
за авторством: V. V. Malyshev, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. V. Malyshev, та інші
Опубліковано: (2019)
Lateral photo-emf in a nonuniform Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2011)
Synthesis and structure of chalcohalides of platinum and rare metals
за авторством: O. G. Janko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. G. Janko, та інші
Опубліковано: (2015)
Silicide coatings on molybdenum: preparation, structure, properties
за авторством: S. V. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: S. V. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Multilayer film heterostructures. Silicides
за авторством: Sidorenko, S.I., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Sidorenko, S.I., та інші
Опубліковано: (2009)
X-ray spectroscopic study of structural isotypism in Me₂Si silicides
за авторством: Gel, P.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Gel, P.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2008)
Silicide coatings structure optimization based on multiscale approach
за авторством: Lytovchenko, S.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Lytovchenko, S.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Silicide coatings structure optimization based on multiscale approach
за авторством: S. V. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. V. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Thermodynamic study of the doping of the diamond–WC–Co composition with silicides of transition metals
за авторством: A. F. Lisovskij, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. F. Lisovskij, та інші
Опубліковано: (2012)
Modification of the platinum electrode of 2,3-dimercaptopropionic acid
за авторством: N. V. Chornenka
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. V. Chornenka
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010) -
Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015) -
Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015) -
Simulation of combined Schottky diode
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)