Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | P. V. Kuchinskij, F. F. Komarov, O. V. Milchanin, T. B. Kovaleva, V. A. Solodukha, A. S. Turtsevich, Ja. A. Solovev, S. V. Gaponenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Electrical Contacts and Electrodes. Series : Composite, Layered and Gradient Materials and Coatings |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001168082 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010) -
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: Vlasov, S.I., та інші
Опубліковано: (2010) -
SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2004) -
Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)