Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | P. V. Kuchinskij, F. F. Komarov, O. V. Milchanin, T. B. Kovaleva, V. A. Solodukha, A. S. Turtsevich, Ja. A. Solovev, S. V. Gaponenko |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2014
|
| Schriftenreihe: | Electrical Contacts and Electrodes. Series : Composite, Layered and Gradient Materials and Coatings |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001168082 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
von: S. I. Vlasov, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: S. I. Vlasov, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
von: Vlasov, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Vlasov, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2010)
SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes
von: Latreche, A.
Veröffentlicht: (2019)
von: Latreche, A.
Veröffentlicht: (2019)
Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Simulation of combined schottky diode
von: Кісельов, Єгор Миколайович
Veröffentlicht: (2015)
von: Кісельов, Єгор Миколайович
Veröffentlicht: (2015)
Simulation of combined schottky diode
von: Кісельов, Єгор Миколайович
Veröffentlicht: (2015)
von: Кісельов, Єгор Миколайович
Veröffentlicht: (2015)
Simulation of combined Schottky diode
von: Ye. M. Kiselov
Veröffentlicht: (2013)
von: Ye. M. Kiselov
Veröffentlicht: (2013)
Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
von: A. Latreche
Veröffentlicht: (2019)
von: A. Latreche
Veröffentlicht: (2019)
On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current in 4H-SiC Schottky barrier diodes
von: A. Latreche
Veröffentlicht: (2019)
von: A. Latreche
Veröffentlicht: (2019)
Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current for 4H-SiC Schottky barrier diodes
von: Latreche, A.
Veröffentlicht: (2019)
von: Latreche, A.
Veröffentlicht: (2019)
Nonlinear Analysis of Millimeter-Wave Schottky Diode Mixers
von: Piddyachiy, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Piddyachiy, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
von: Litvinenko, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Litvinenko, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
von: V. N. Litvinenko, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: V. N. Litvinenko, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Microwave diodes with contact metallization systems based on silicides, nitrides and borides of refractory metals
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Methods for deter-mination of schottky barrier height from I-V curves (review)
von: Ja. Ja. Kudrik, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Ja. Ja. Kudrik, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
von: A. V. Babich
Veröffentlicht: (2014)
von: A. V. Babich
Veröffentlicht: (2014)
On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
von: A. V. Babich
Veröffentlicht: (2014)
von: A. V. Babich
Veröffentlicht: (2014)
SCHOTTKY DIODE TRIPLER IN THE 3-MM WAVE RECEIVER FOR INVESTIGATION OF ATMOSPHERIC GASES
von: Piddyachiy, V. I.
Veröffentlicht: (2015)
von: Piddyachiy, V. I.
Veröffentlicht: (2015)
Schottky Diode Tripler in the 3-mm Wave Receiver for Investigation of Atmospheric Gases
von: V. I. Podjachij
Veröffentlicht: (2015)
von: V. I. Podjachij
Veröffentlicht: (2015)
Active region of CdTe X-/γ-ray detector with Schottky diode
von: Kosyachenko, L.A., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Kosyachenko, L.A., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes
von: Katrunov, K.A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Katrunov, K.A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Calculating the electronic transmission properties of semiconducting carbon nanotube Schottky diodes with increase in diameter
von: R. Nizam, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: R. Nizam, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Radiation-resistant photostructure for Schottky diode based on Cr/In2Hg3Te6
von: A. A. Ashcheulov, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: A. A. Ashcheulov, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au-TiB2-n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
von: Ya. Ya. Kudryk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Ya. Ya. Kudryk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)
Photoresponse of Schottky-barrier detector under strong IR laser excitation
von: Asmontas, S., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Asmontas, S., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
von: Ya. Olikh
Veröffentlicht: (2013)
von: Ya. Olikh
Veröffentlicht: (2013)
Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
von: Ya. Olikh
Veröffentlicht: (2013)
von: Ya. Olikh
Veröffentlicht: (2013)
Electron beam refining in production of platinum and platinum-base alloys. Information 1. Electron beam refining of platinum
von: Savenko, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Savenko, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Kinetic of wetting of zirconia by platinum
von: A. V. Durov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: A. V. Durov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Rhenium–platinum antitumor systems
von: A. V. Shtemenko, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: A. V. Shtemenko, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys
von: I. G. Pashaev
Veröffentlicht: (2012)
von: I. G. Pashaev
Veröffentlicht: (2012)
Schottky contact degradation at thermal annealing
von: E. F. Venger, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: E. F. Venger, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Lateral photo-emf in Schottky contact
von: E. F. Venger, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: E. F. Venger, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Production and investigation of Cu/thin intermediate tunnel-transparent dielectric oxide layer/n-Pb₀.₉₃₅Sn₀.₀₆₅Te₀.₂₄₃Se₀.₇₅₇/In Schottky barrier structures
von: Tkachuk, A.I., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Tkachuk, A.I., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Synthesis of chromium silicides in ionic melts
von: V. V. Malyshev, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: V. V. Malyshev, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Silicide coatings on molybdenum: preparation, structure, properties
von: S. V. Litovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: S. V. Litovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Ähnliche Einträge
-
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
von: S. I. Vlasov, et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
von: Vlasov, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes
von: Latreche, A.
Veröffentlicht: (2019) -
Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2012)