Biintercalate layered heterostructure: synthesis conditions and physical properties
Збережено в:
Дата: | 2021 |
---|---|
Автори: | F. O. Ivashchyshyn, V. M. Maksymych, T. D. Krushelnytska, O. V. Rybak, B. O. Seredyuk, N. K. Tovstyuk |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2021
|
Назва видання: | Low Temperature Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001300929 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Synthesis and electrophysical properties of heterostructures CuS/CdS and Ag2S/CdS
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Electronic properties of CdTe and ZnTe strained layers in heterostructures
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2011) -
On the origin of transversal current in double-layer heterostructures
за авторством: S. V. Iordanski
Опубліковано: (2017) -
On the origin of transversal current in double-layer heterostructures
за авторством: Iordanski, S.V.
Опубліковано: (2017) -
Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
за авторством: Charikova, T., та інші
Опубліковано: (2015)