Biintercalate layered heterostructure: synthesis conditions and physical properties
Збережено в:
| Дата: | 2021 |
|---|---|
| Автори: | F. O. Ivashchyshyn, V. M. Maksymych, T. D. Krushelnytska, O. V. Rybak, B. O. Seredyuk, N. K. Tovstyuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2021
|
| Назва видання: | Low Temperature Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001300929 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Synthesis and electrophysical properties of heterostructures CuS/CdS and Ag2S/CdS
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Electronic properties of CdTe and ZnTe strained layers in heterostructures
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2011)
On the origin of transversal current in double-layer heterostructures
за авторством: S. V. Iordanski
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. V. Iordanski
Опубліковано: (2017)
On the origin of transversal current in double-layer heterostructures
за авторством: Iordanski, S.V.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Iordanski, S.V.
Опубліковано: (2017)
Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
за авторством: T. Charikova, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: T. Charikova, та інші
Опубліковано: (2015)
Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
за авторством: Charikova, T., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Charikova, T., та інші
Опубліковано: (2015)
Thermodynamics of intercalated layer crystals at low temperatures
за авторством: Tovstyuk, N.K.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Tovstyuk, N.K.
Опубліковано: (2001)
Electronic structure and physical properties of hybrid heterostructures Sr2CrOsO6/BaTiO3
за авторством: V. N. Antonov, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. N. Antonov, та інші
Опубліковано: (2021)
Effect of the conditions of detonation nanodiamonds synthesis on the state of their surface layer
за авторством: A. N. Panova, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. N. Panova, та інші
Опубліковано: (2015)
Influence of conditions for synthesis of CdS nanoparticles in colloidal solutions on their photoluminescence properties
за авторством: O. A. Kapush, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. A. Kapush, та інші
Опубліковано: (2013)
Electrical properties of n-SnS₂/n-CdIn₂Te₄ heterostructure
за авторством: Gorley, P.M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorley, P.M., та інші
Опубліковано: (2010)
Modification of the properties of InSe β-CD FeSO4 clathrate/cavitate complexes with hierarchical architecture at their synthesis in crossed electric and light-wave fields
за авторством: I. I. Grygorchak, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. I. Grygorchak, та інші
Опубліковано: (2017)
Modification of the properties of InSe β-CD FeSO4 clathrate/cavitate complexes with hierarchical architecture at their synthesis in crossed electric and light-wave fields
за авторством: I. I. Hryhorchak, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. I. Hryhorchak, та інші
Опубліковано: (2017)
Photoelectric properties of metal-porous silicon-silicon planar heterostructures
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)
Dependence of magnetoelectric effect in layered lead zirconate-titanate / nickel heterostructures on the interface type
за авторством: Poddubnaya, N.N., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Poddubnaya, N.N., та інші
Опубліковано: (2010)
Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)
The investigation of luminescence properties of nitride-based heterostructures, containing superlattice
за авторством: Menkovich, E.A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Menkovich, E.A., та інші
Опубліковано: (2014)
Optical and photoelectrical properties of the tetrathiotetracene-fullerene (TTTC₆₀) film heterostructures
за авторством: Gorishny, M.P., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorishny, M.P., та інші
Опубліковано: (2008)
Epoxy-titania composites of cationic polymerization: synthesis conditions and properties
за авторством: S. V. Zhyltsova, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Zhyltsova, та інші
Опубліковано: (2015)
Effect of sintering conditions on physical properties of carbonated hydroxyapatite ceramics
за авторством: Tkachenko, M.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Tkachenko, M.V., та інші
Опубліковано: (2008)
The influence of detonation synthesis conditions on surface properties of detonation nanodiamonds
за авторством: A. P. Voznjakovskij, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. P. Voznjakovskij, та інші
Опубліковано: (2014)
Synthesis and Physical Properties of Li-Al-Si Glass-Ceramic Materials From Petalite of Polohivka Deposit (the Ukrainian Shield)
за авторством: V. V. Ripenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. V. Ripenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Point interactions with bound states: A zero-thickness limit of a double-layer heterostructure
за авторством: A. V. Zolotaryuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. V. Zolotaryuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Heterostructure-based diode with the cathode static domain
за авторством: O. V. Botsula, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. V. Botsula, та інші
Опубліковано: (2015)
The physical-mechanical and damping properties PCBN superhard composite depending on the conditions for their preparation
за авторством: M. P. Bezhenar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: M. P. Bezhenar, та інші
Опубліковано: (2016)
“Multicoloured” superradiance in quantum heterostructures
за авторством: Pikaruk, O.O., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Pikaruk, O.O., та інші
Опубліковано: (2004)
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)
Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2012)
Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: F. F. Sizov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: F. F. Sizov, та інші
Опубліковано: (2012)
Electrophysical properties of polymer nanocomposites on the basis of heterostructures Ag2S/CdS
за авторством: E. V. Kotenok, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: E. V. Kotenok, та інші
Опубліковано: (2012)
Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)
Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
Heterostructure infrared photodiodes
за авторством: Rogalski, A.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Rogalski, A.
Опубліковано: (2000)
Electrophysical properties of heterostructures CuS/ZnS and PCTFE–CuS/ZnS system
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe
за авторством: Tkachuk, I.G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tkachuk, I.G., та інші
Опубліковано: (2018)
Dependence of electron states density of intercalated layer crystal on the intercalant concentration
за авторством: Tovstyuk, N.K., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Tovstyuk, N.K., та інші
Опубліковано: (2002)
Photoelectric properties of In2O3-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Схожі ресурси
-
Synthesis and electrophysical properties of heterostructures CuS/CdS and Ag2S/CdS
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Electronic properties of CdTe and ZnTe strained layers in heterostructures
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2011) -
On the origin of transversal current in double-layer heterostructures
за авторством: S. V. Iordanski
Опубліковано: (2017) -
On the origin of transversal current in double-layer heterostructures
за авторством: Iordanski, S.V.
Опубліковано: (2017) -
Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
за авторством: T. Charikova, та інші
Опубліковано: (2015)