Зображення обкладинки

Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, G. S. Svechnikov, V. E. Rodionov, S. W. Lee
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2013
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000351880
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)

8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)

3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011)

3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2011)

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)

External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Peculiarities of phase transformations of SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

Peculiarities of phase transformations in SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
за авторством: Umeno, Y., та інші
Опубліковано: (2008)

Silicon carbide LED
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)

Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)

Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)

Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)

Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)

Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (Vsᵢ-Vc)⁰ (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
за авторством: Shanina, B.D., та інші
Опубліковано: (2018)

Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
за авторством: B. D. Shanina, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

Ordering and polytypism in A₃ᴵᴵB₂ⱽ crystals
за авторством: Chuiko, G.P., та інші
Опубліковано: (2005)

A silicon carbide thermistor
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Mechanism of 6H-3C transformation in SiC
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)

Mechanical strain in the structure of array of silicon nanowires grown on a silicon substrate
за авторством: A. I. Klimovskaya, та інші
Опубліковано: (2019)

Mechanical strain in the structure of an array of silicon nanowires grown on a silicon substrate
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2019)

Reliability of AC thick-film electroluminescent lamps
за авторством: Vlaskin, V., та інші
Опубліковано: (2009)

Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013)

On melting of silicon carbide under pressure
за авторством: P. S. Sokolov, та інші
Опубліковано: (2012)

Multiphoton transitions in Josephson-junction qubits
за авторством: S. N. Shevchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)

Research of the influence of silicon impregnation on the structure and properties of hot-pressed silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Production and properties of hot-pressed materials based on silicon carbide with additions of boron and titanium carbides
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Light scattering in silicon carbide nanocrystalline films
за авторством: Lopin, A.V.
Опубліковано: (2008)