Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction

Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, G. S. Svechnikov, V. E. Rodionov, S. W. Lee
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2013
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000351880
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