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8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2013
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352312
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