About ultrasound-stimulated a self-organization of defect structures in semiconductors during ion implantation
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автор: | Ya. M. Olikh |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363128 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon
за авторством: Romanjuk, B., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Romanjuk, B., та інші
Опубліковано: (2000)
Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound
за авторством: Savkina, R.K.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Savkina, R.K.
Опубліковано: (2012)
Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: M. A. Lisovenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. A. Lisovenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: Lisovenko, M.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Lisovenko, M.A., та інші
Опубліковано: (2013)
Diffusion model of defect formation in silicon under light ion implantation
за авторством: Voznyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Voznyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Radiation-induced defect's clustering and self-organization during surface modification
за авторством: Bondareva, A.L., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Bondareva, A.L., та інші
Опубліковано: (2006)
Transformation of defects in semiconductor structures under the influence of microwave electromagnetic radiation, which is stimulated by drift phenomena
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2020)
Transformation of defects in semiconductor structures under the influence of microwave electromagnetic radiation, which is stimulated by drift phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2020)
nvestigations of near dislocation clusters of point defects in CdZnTe crystals by using the Hall method under the ultrasound loading the crystals
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2017)
Structural Changes in the GGG Single Crystals Implanted with Ne+ Ions During Natural Ageing
за авторством: B. K. Ostafiichuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. K. Ostafiichuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Dispersion (Phase) Nature of Structural Sensitivity and Informativity of Triple-Crystal Diffractometry of Defects and Strains within the Ion-Implanted Films
за авторством: O. S. Skakunova, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. S. Skakunova, та інші
Опубліковано: (2015)
Nanosized levels of the self-organized structures in the non-crystalline semiconductors As-S(Se) system
за авторством: M. I. Maryan, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: M. I. Maryan, та інші
Опубліковано: (2019)
Nanosized levels of the self-organized structures in the non-crystalline semiconductors As-S(Se) system
за авторством: Mar'yan, M.I., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Mar'yan, M.I., та інші
Опубліковано: (2019)
Laser-stimulated processes in semiconductors
за авторством: P. O. Hentsar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. O. Hentsar, та інші
Опубліковано: (2016)
Self-organized structuring of the surface of a metal–semiconductor composite by femtosecond laser processing
за авторством: N. Berezovska, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. Berezovska, та інші
Опубліковано: (2018)
Self-organized structuring of the surface of a metal–semiconductor composite by femtosecond laser processing
за авторством: N. Berezovska, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. Berezovska, та інші
Опубліковано: (2018)
About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2010)
The influence of ion implantation by phosphorous on structural changes in porous silicon
за авторством: Swiatek, Z., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Swiatek, Z., та інші
Опубліковано: (2004)
Implantation of deuterium and helium ions into composite structure with tantalum coating
за авторством: Bobkov, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bobkov, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface
за авторством: Normuradov, M.T., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Normuradov, M.T., та інші
Опубліковано: (2002)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)
Energy spectrum of electrons in a three-layer heterosystem with self-organized defect-deformation structures
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
Energy spectrum of electrons in a three-layer heterosystem with self-organized defect-deformation structures
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of ultrasound treatment and dynamic (in-situ) ultrasound loading on the temperature hysteresis of electrophysical characteristics in irradiated n-Si–Fz
за авторством: Babych, V.М., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Babych, V.М., та інші
Опубліковано: (2009)
Sorption capacity of ultrasound-activated natural bentonite regarding copper ions
за авторством: V. V. Kochubei, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Kochubei, та інші
Опубліковано: (2024)
Implantation of Dduterium and helium ions into a tungsten-c oated composite structures
за авторством: V. V. Bobkov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. V. Bobkov, та інші
Опубліковано: (2020)
Implantation of Dduterium and helium ions into a tungsten-c oated composite structures
за авторством: V. V. Bobkov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. V. Bobkov, та інші
Опубліковано: (2020)
Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free Cs0.2Hg0.8Te crystals
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free Cs0.2Hg0.8Te crystals
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Ion sources optimization for high energy ion implantation by computer simulation
за авторством: Litovko, I.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Litovko, I.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Evaluation of arterial wall elasticity during ultrasound diagnostics
за авторством: L. A. Bulavin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: L. A. Bulavin, та інші
Опубліковано: (2017)
Evaluation of arterial wall elasticity during ultrasound diagnostics
за авторством: L. A. Bulavin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: L. A. Bulavin, та інші
Опубліковано: (2017)
Spectroscopy and micro-luminescence mapping of Xe-implanted defects in diamond
за авторством: Deshko, Y., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Deshko, Y., та інші
Опубліковано: (2010)
Dynamical Diffractometry of Defects and Strains in Gd3Ga5O12 Garnet Crystals After Implantation with F+ Ions
за авторством: O. S. Skakunova, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. S. Skakunova, та інші
Опубліковано: (2013)
Self-organization of crystals during the plastic deformation
за авторством: E. E. Zasimchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: E. E. Zasimchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Defect structure of Czochralski silicon co-implanted with helium and hydrogen and treated at high temperature - pressure
за авторством: Wierzchowski, W., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Wierzchowski, W., та інші
Опубліковано: (2005)
Quantum-Mechanical Model of Interconsistent Amplitude and Dispersion Influences of Structure Imperfections on the Multiple Scattering Pattern for Mapping and Characterization of Strains and Defects in Ion-Implanted Garnet Films
за авторством: V. B. Molodkin, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. B. Molodkin, та інші
Опубліковано: (2015)
Quantum-Mechanical Model of Interconsistent Amplitude and Dispersion Influences of Structure Imperfections on the Multiple Scattering Pattern for Mapping and Characterization of Strains and Defects in Ion-Implanted Garnet Films
за авторством: Molodkin, V.B., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Molodkin, V.B., та інші
Опубліковано: (2015)
Thermoelastic stresses and defect production in semiconductor-insulator structures at isothermic heating
за авторством: Agueev, O.A., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Agueev, O.A., та інші
Опубліковано: (2000)
Схожі ресурси
-
Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon
за авторством: Romanjuk, B., та інші
Опубліковано: (2000) -
Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound
за авторством: Savkina, R.K.
Опубліковано: (2012) -
Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: M. A. Lisovenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: Lisovenko, M.A., та інші
Опубліковано: (2013) -
Diffusion model of defect formation in silicon under light ion implantation
за авторством: Voznyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2000)