About ultrasound-stimulated a self-organization of defect structures in semiconductors during ion implantation
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автор: | Ya. M. Olikh |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363128 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon
за авторством: Romanjuk, B., та інші
Опубліковано: (2000) -
Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound
за авторством: Savkina, R.K.
Опубліковано: (2012) -
Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: M. A. Lisovenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: Lisovenko, M.A., та інші
Опубліковано: (2013) -
Radiation-induced defect's clustering and self-organization during surface modification
за авторством: Bondareva, A.L., та інші
Опубліковано: (2006)