Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p—i—n Si structures by LPE method
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | N. M. Vakiv, S. I. Krukovskij, V. R. Timchishin, A. P. Vaskiv |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405174 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
за авторством: S. I. Krukovskij
Опубліковано: (2006)
за авторством: S. I. Krukovskij
Опубліковано: (2006)
p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
Epitaxial InGaN nanostructures grown in pores of anodic aluminium oxide on Si
за авторством: G. G. Gorokh, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. G. Gorokh, та інші
Опубліковано: (2011)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)
Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)
Photoconductivity in bilateral macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)
Photoconductivity in bilateral macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)
Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2019)
Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Modelling of epitaxial growth of diamond crystals in high-carbon Fe–Al alloys
за авторством: A. A. Mekhed, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. A. Mekhed, та інші
Опубліковано: (2013)
Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
Modeling of photo-conversion efficiency for hydrogenated amorphous Si p-i-n structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)
The Problems and Prospects of Ukrainian-Spanish Bilateral Cooperation
за авторством: I. O. Panova, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: I. O. Panova, та інші
Опубліковано: (2023)
High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020)
Quantum electrical capacitance of epitaxial graphene
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2015)
Optical properties of AlN/n-Si(111) films obtained by method of HF reactive magnetron sputtering
за авторством: Zayats, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zayats, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)
Adhesive strength of nanocomposite Zr-Ti-Si-N coatings obtained by vacuum arc method
за авторством: V. M. Beresnev, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. M. Beresnev, та інші
Опубліковано: (2010)
Solutions of the matrix linear bilateral polynomial equation and their structure
за авторством: Dzhaliuk, Nataliia S., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Dzhaliuk, Nataliia S., та інші
Опубліковано: (2019)
Solutions of the matrix linear bilateral polynomial equation and their structure
за авторством: Dzhaliuk, N.S., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Dzhaliuk, N.S., та інші
Опубліковано: (2019)
Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
Structure and properties of solid coatings of systems (Ti-Zr-Si)N and (Ti-Hf-Si)N obtained from the flows of metallic plasma
за авторством: V. M. Beresnev, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. M. Beresnev, та інші
Опубліковано: (2010)
Preparation and study of the porous Si surfaces obtained by electrochemical method
за авторством: V. G. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. G. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)
Obtaining and examination of heterostructure ZnO:Al/por-Si/Si
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2020)
pH- and thermoresponsive properties of hybrid systems based on gelatin and organomodified SiO2 obtained by the sol-gel method
за авторством: I. N. Bej, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. N. Bej, та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2014)
Growth of catalytically active nanostructures in the nonequilibrium epitaxy regime
за авторством: V. M. Horshkov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. M. Horshkov, та інші
Опубліковано: (2015)
Growth of catalytically active nanostructures in the nonequilibrium epitaxy regime
за авторством: V. M. Gorshkov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. M. Gorshkov, та інші
Опубліковано: (2015)
Receptor status of tumor as prognostic factor in patients with bilateral breast cancer
за авторством: D. Y. Tsyhyka, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. Y. Tsyhyka, та інші
Опубліковано: (2013)
History, current state and prospects of bilateral cooperation between Ukraine and Indonesia
за авторством: V. Nedbai
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. Nedbai
Опубліковано: (2016)
Competence of the European Union and EU Member States on bilateral investment agreements
за авторством: B. V. Strilets
Опубліковано: (2016)
за авторством: B. V. Strilets
Опубліковано: (2016)
Ukrainian-Japanese relations, strategic partnership and bilateral cooperation (2011-2015)
за авторством: L. Vovchuk
Опубліковано: (2015)
за авторством: L. Vovchuk
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014) -
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003) -
Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
за авторством: S. I. Krukovskij
Опубліковано: (2006) -
p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005) -
Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)