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Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p—i—n Si structures by LPE method

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	N. M. Vakiv, S. I. Krukovskij, V. R. Timchishin, A. P. Vaskiv
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2013
Schriftenreihe:	Technology and design in electronic equipment
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405174
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