Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p—i—n Si structures by LPE method
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
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| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2013
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| Schriftenreihe: | Technology and design in electronic equipment |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405174 |
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| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |