Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa3
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | B. Kotur, V. Babizhetskyy, E. Bauer, F. Kneidinger, A. Danner, L. Leber, H. Michor |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Materials Science (Physicochemical mechanics of materials) |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000662708 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃
за авторством: Kotur, B., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kotur, B., та інші
Опубліковано: (2013)
X-ray magnetic circular dichroism in Co₂FeGa: First-principles calculations
за авторством: Kukusta, D.A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kukusta, D.A., та інші
Опубліковано: (2011)
X-ray magnetic circular dichroism in Co2FeGa: First-principles calculations
за авторством: D. A. Kukusta, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: D. A. Kukusta, та інші
Опубліковано: (2011)
Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: F. F. Sizov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: F. F. Sizov, та інші
Опубліковано: (2012)
Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2012)
Non-stoichiometry of GdFe2Si2: a single crystal study
за авторством: V. Babizhetskyy, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. Babizhetskyy, та інші
Опубліковано: (2021)
Narrow-gap TIG welding of thick steel 20
за авторством: S. V. Akhonin, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: S. V. Akhonin, та інші
Опубліковано: (2023)
Technological peculiarities of electoslag narrow-gap welding of titanium
за авторством: I. V. Protokovilov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. V. Protokovilov, та інші
Опубліковано: (2013)
Innovativeness of the economies of the EU and Ukraine: undertakings to narrow the gap
за авторством: L. Fedulova
Опубліковано: (2016)
за авторством: L. Fedulova
Опубліковано: (2016)
Photoplastic Effect in Narrow-Gap Mercury Chalcogenide Crystals
за авторством: Koman, B.P., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Koman, B.P., та інші
Опубліковано: (2018)
Narrowing of the martensite transformation temperature hysteresis in ferromagnetic Fe-Co-Ni-Ti alloys doped with Cu
за авторством: Kokorin, V.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kokorin, V.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Influence of the reaction environment on electrochemical characteristics of metallic electrodes Fe–Nb–B doped by Y, Gd, Tb or Dy
за авторством: L. Boichyshyn, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: L. Boichyshyn, та інші
Опубліковано: (2015)
Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals
за авторством: Chugai, O., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Chugai, O., та інші
Опубліковано: (2004)
Narrow-gap welding of joints of up to 110 mm thick high-strength titanium alloys
за авторством: S. V. Akhonin, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: S. V. Akhonin, та інші
Опубліковано: (2010)
Diffusion and mobility of native point defects in narrow-gap Hg₁-xCdxTe crystals
за авторством: Elizarov, A.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Elizarov, A.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Photoluminescence excitation spectroscopy in narrow - gap Hg₁₋x₋yCd xMnyTe
за авторством: Mazur, Yu. I.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Mazur, Yu. I.
Опубліковано: (1999)
Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals
за авторством: Bogoboyashchiy, V.V.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Bogoboyashchiy, V.V.
Опубліковано: (1999)
Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors
за авторством: Ja. Ja. Kudrik
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik
Опубліковано: (2013)
On origin of room temperature ferromagnetism in wide gap semiconductors
за авторством: Korbecka, Anna, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Korbecka, Anna, та інші
Опубліковано: (2009)
Ordering in a narrow-band magnetic metal with exchange
за авторством: E. S. Orel
Опубліковано: (2012)
за авторством: E. S. Orel
Опубліковано: (2012)
Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
System for automatic regulation of position of tungsten electrode in narrow-gap magnetically controlled arc welding of titanium
за авторством: Ju. Belous, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ju. Belous, та інші
Опубліковано: (2011)
Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: Hontaruk, O., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Hontaruk, O., та інші
Опубліковано: (2010)
Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)
Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: Hontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Hontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2016)
Parameters of nanosecond overvoltage discharge plasma in a narrow air gap between the electrodes containing electrode material vapor
за авторством: O. K. Shuaibov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. K. Shuaibov, та інші
Опубліковано: (2018)
Parameters of nanosecond overvoltage discharge plasma in a narrow air gap between the electrodes containing electrode material vapor
за авторством: O. K. Shuaibov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. K. Shuaibov, та інші
Опубліковано: (2018)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
The impact of heavy Ga doping on superconductivity in germanium
за авторством: R. Skrotzki, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: R. Skrotzki, та інші
Опубліковано: (2011)
The impact of heavy Ga doping on superconductivity in germanium
за авторством: Skrotzki, R., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Skrotzki, R., та інші
Опубліковано: (2011)
Paraelectric properties of PbTe doped with Ga
за авторством: Tetyorkin, V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Tetyorkin, V., та інші
Опубліковано: (2000)
Superconducting properties of a two-dimensional doped semiconductor
за авторством: Loktev, V.M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Loktev, V.M., та інші
Опубліковано: (2010)
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Spintronics phenomena induced by THz radiation in narrow-gap HgCdTe thin films in an external constant electric field
за авторством: Tsybrii, Z.F., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Tsybrii, Z.F., та інші
Опубліковано: (2021)
Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe
за авторством: Mazur, Yu.I.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Mazur, Yu.I.
Опубліковано: (1998)
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Схожі ресурси
-
Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃
за авторством: Kotur, B., та інші
Опубліковано: (2013) -
X-ray magnetic circular dichroism in Co₂FeGa: First-principles calculations
за авторством: Kukusta, D.A., та інші
Опубліковано: (2011) -
X-ray magnetic circular dichroism in Co2FeGa: First-principles calculations
за авторством: D. A. Kukusta, та інші
Опубліковано: (2011) -
Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: F. F. Sizov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2012)