Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa3
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | B. Kotur, V. Babizhetskyy, E. Bauer, F. Kneidinger, A. Danner, L. Leber, H. Michor |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Materials Science (Physicochemical mechanics of materials) |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000662708 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃
за авторством: Kotur, B., та інші
Опубліковано: (2013) -
X-ray magnetic circular dichroism in Co₂FeGa: First-principles calculations
за авторством: Kukusta, D.A., та інші
Опубліковано: (2011) -
X-ray magnetic circular dichroism in Co2FeGa: First-principles calculations
за авторством: D. A. Kukusta, та інші
Опубліковано: (2011) -
Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: F. F. Sizov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2012)