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Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa3

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	B. Kotur, V. Babizhetskyy, E. Bauer, F. Kneidinger, A. Danner, L. Leber, H. Michor
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2013
Schriftenreihe:	Materials Science (Physicochemical mechanics of materials)
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000662708
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