Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin

Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	R. M. Rudenko, M. M. Krasko, V. V. Voitovych, A. G. Kolosyuk, Yu. Povarchuk, A. M. Kraichynskyi, V. O. Yukhymchuck, Ya. Bratus, M. V. Voitovych, I. A. Zaloilo
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2013
Schriftenreihe:	Ukrainian journal of physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000691663
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