Зображення обкладинки

Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автор:	L. O. Lokot
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2013
Назва видання:	Ukrainian Journal of Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725371
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2013)

Strain effects on the valence band structure, optical transitions, and light gain spectrums in zinc-blende GaN quantum wells
за авторством: Lokot, L.O.
Опубліковано: (2008)

Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2012)

Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2012)

One-dimensional warm electron transport in GaN quantum well wires at low temperatures
за авторством: Sarkar, S.K.
Опубліковано: (2003)

Nuclear structure study of even-even 24-42Si isotopes using Skyrme - Hartree - Fock, and Hartree - Fock - Bogolyubov methods
за авторством: H. A.A. Abdul, та інші
Опубліковано: (2020)

Proton and neutron pairing properties within a mixed volume-surface pairing Type using the Hartree–Fock–Bogolyubov theory
за авторством: M. A. Hasan, та інші
Опубліковано: (2023)

Proton and neutron pairing properties within a mixed volume-surface pairing Type using the Hartree–Fock–Bogolyubov theory
за авторством: M. A. Hasan, та інші
Опубліковано: (2023)

Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
за авторством: Elkadadra, A., та інші
Опубліковано: (2010)

Strong coupling Hartree-Fock approximation in the dynamical mean-field theory
за авторством: Shvaika, A.M.
Опубліковано: (2001)

The molecular mechanism of the spontaneous substitution mutations caused by tautomerism of bases: Post Hartree-Fock study of the DNA rare base pairs
за авторством: Danilov, V.I., та інші
Опубліковано: (2005)

Spectrum electron - hole pair insemiconductor quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnij, та інші
Опубліковано: (2014)

Electro-optic effect in GaN/Al0. 15Ga0. 85N single quantum wells for optical switch
за авторством: A. Elkadadra, та інші
Опубліковано: (2010)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)

Skyrme–Hartree–Fock–Bogoliubov calculations of even and odd neutron-rich Mg isotopes
за авторством: A. H. Taqi, та інші
Опубліковано: (2021)

Skyrme–Hartree–Fock–Bogoliubov calculations of even and odd neutron-rich Mg isotopes
за авторством: A. H. Taqi, та інші
Опубліковано: (2021)

Nuclear binding energy and density distribution of Pb isotopes in a Skyrme - Hartree - Fock method
за авторством: Y. Yulianto, та інші
Опубліковано: (2017)

Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2014)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2014)

Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
за авторством: Kundu, J., та інші
Опубліковано: (2007)

Spectrum of electron-hole pair in quantum dots of a semiconductor nanolaser: theory
за авторством: Pokutnyi, S.I.
Опубліковано: (2004)

Variational calculation of lithium-like ions from B+2 to N+4 using β-type Roothaan–Hartree–Fock wavefunction
за авторством: H. Al-Jibbouri
Опубліковано: (2021)

Variational calculation of lithium-like ions from B+2 to N+4 using β-type Roothaan–Hartree–Fock wavefunction
за авторством: H. Al-Jibbouri
Опубліковано: (2021)

Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)

Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: G. I. Syngaivska, та інші
Опубліковано: (2018)

Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)

Electron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN
за авторством: Syngayivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2015)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2001)

The effect of infrared illumination on quantum magnetotransport in strongly coupled n-InGaAs/GaAs double quantum wells
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2013)

Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
за авторством: G. I. Syngayivska, та інші
Опубліковано: (2013)

Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
за авторством: H. I. Synhaivska, та інші
Опубліковано: (2013)

Polar interface optical phonon states and their dispersive properties of a wurtzite GaN quantum dot: quantum size effect
за авторством: Zhang, L.
Опубліковано: (2010)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)

Tunneling in two-layer systems with electron-hole pairing
за авторством: A. I. Bezuglyj
Опубліковано: (2020)