Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer

Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	A. V. Sachenko, V. P. Kostylov, V. H. Lytovchenko, V. H. Popov, B. M. Romaniuk, V. V. Chernenko, V. M. Nasieka, T. V. Slusar, S. I. Kyrylova, F. F. Komarov
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2013
Schriftenreihe:	Ukrainian Journal of Physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725395
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