Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | V. M. Sorokin, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Zinovchuk, R. I. Bigun, Ya. Kudryk, V. V. Shynkarenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350128 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
за авторством: Sorokin, V.M., та інші
Опубліковано: (2012) -
Degradation processes in LED modules
за авторством: Sorokin, V.M., та інші
Опубліковано: (2016) -
Degradation processes in LED modules
за авторством: V. M. Sorokin, та інші
Опубліковано: (2016) -
Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007) -
Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)