Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | V. M. Sorokin, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Zinovchuk, R. I. Bigun, Ya. Kudryk, V. V. Shynkarenko |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2012
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350128 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
von: Sorokin, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Degradation processes in LED modules
von: Sorokin, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Degradation processes in LED modules
von: V. M. Sorokin, et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
von: M. Y. Chumak, et al.
Veröffentlicht: (2024)