Effect of pressure on the properties of Al SiO2 n-Si Ni structures

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: S. I. Vlasov, A. V. Ovsyannikov, B. K. Ismailov, B. H. Kuchkarov
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: 2012
Назва видання:Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350135
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси