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Effect of pressure on the properties of Al SiO2 n-Si Ni structures

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	S. I. Vlasov, A. V. Ovsyannikov, B. K. Ismailov, B. H. Kuchkarov
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2012
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350135
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